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STP140N6F7
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.74g
描述 :
场效应管(MOSFET) 158W 60V 80A 1个N沟道 TO-220
库存 :
13(起订量1,增量1)
批次 :
19+数量 :
X
7.7按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.7
--
100+
￥6.53
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP140N6F7参数
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 55nC @ 10V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 功率耗散（最大值） | 158W（Tc） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 40A，10V | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 工作温度 | 175°C（TJ） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3100pF @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 60V |
STP140N6F7手册
无数据
STP140N6F7概述
STP140N6F7 产品概述
一、产品背景
STP140N6F7 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 型 MOSFET，适用于多种电子应用。这款 MOSFET 采用 TO-220 封装，具有出色的热管理能力和机械强度，适合需要高功率和高效率的电源转换、马达驱动和开关电源等场合。这款器件凭借其低导通电阻和高电流承载能力，为设计工程师提供了出色的选择。
二、关键规格
漏源电压（Vdss）: 60V
- 该门极-源极导通电压为60V，适合在中等电压应用中使用。
连续漏极电流（Id）: 80A
- 在适当的散热条件下，STP140N6F7 可以承载高达80A的连续漏极电流，使其能在高负载条件下保持稳定工作。
最大功率耗散: 158W
- 该器件在工作温度为25°C时的最大功率耗散为158W，表现出色，适合高功率应用。
导通电阻（Rds(on)）: 3.5 mΩ @ 40A, 10V
- 在40A和10V的条件下，导通电阻达到最低 3.5 mΩ，为高效率电源设计提供了支持，极大地减少了开关损耗。
栅极电荷（Qg）: 55nC @ 10V
- 55nC的栅极电荷值使得驱动电路设计相对简单，可降低驱动功耗。
工作温度: 175°C（TJ）
- 能够在高达175°C的工作温度下可靠运行，适用于诸如汽车、工业和高功率电子设备等苛刻环境。
门极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
- 提供了一定范围内的阈值电压，保证了较强的良好启动和关闭性能。
输入电容（Ciss）: 3100pF @ 10V
- 输入电容较大，对于高频开关应用而言具有良好的稳定性。
三、应用场景
STP140N6F7 的特性使其非常适合以下应用场景：
开关电源 (SMPS)：
- 由于其低导通电阻和高电流能力，非常适合在电力转换电路中使用，以提高系统效率。
电机驱动：
- 适合各种电动机控制应用，如无刷直流电动机和步进电动机，提供所需的电流和效率。
汽车电子：
- 由于其高工作温度和可靠性，这款MOSFET是汽车用电源、驱动器和控制器等应用的理想选择。
消费电子：
- 适用于高效能变换器、充电器和其他消费类电子设备。
四、总结
STP140N6F7 是意法半导体出品的一款性能卓越的 N 型 MOSFET，凭借其高电流承载能力、低导通电阻以及优异的热稳定性，极大地拓宽了其应用场景。无论是在高要求的工业领域，还是在日常消费电子中，STP140N6F7 都能够满足现代电子产品日益增长的性能要求。这一产品无疑是追求高效率和可靠性设计工程师的重要工具。