不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100µA @ 200V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 200mA |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 250V | 不同 Vr、F 时电容 | 5pF @ 0V,1MHz |
反向恢复时间 (trr) | 50ns | 二极管类型 | 标准 |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 安装类型 | 表面贴装型 |
电流 - 平均整流 (Io) | 225mA(DC) |
NSVBAS21SLT1G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的高性能开关二极管,采用 SOT-23-3(TO-236)封装设计,适用于多种电子电路的应用。该产品特别适合在高压应用中提供可靠的电流整流和开关功能,具有出色的电气性能和优化设计,致力于提高电子设备的效率与稳定性。
该二极管广泛应用于以下领域:
NSVBAS21SLT1G 是一款性能卓越、功能全面的开关二极管,凭借其快速恢复特性、小巧的封装和高电压承受能力,适用于现代电子设备中的多种应用。选择 NSVBAS21SLT1G 将有助于提升产品的稳定性与可靠性,并在高效能方面优化电路设计,满足日益增长的市场需求。其出色的电流和电压特性使其成为设计师和工程师在选择元件时的重要参考。