NSVBAS21SLT1G 产品实物图片
NSVBAS21SLT1G 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NSVBAS21SLT1G

商品编码: BM0000001433
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.017g
描述 : 
开关二极管 1对串联式 1.25V@200mA 250V 225mA SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.728
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.728
--
200+
¥0.243
--
1500+
¥0.151
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

NSVBAS21SLT1G参数

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100µA @ 200V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25V @ 200mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)250V不同 Vr、F 时电容5pF @ 0V,1MHz
反向恢复时间 (trr)50ns二极管类型标准
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)安装类型表面贴装型
电流 - 平均整流 (Io)225mA(DC)

NSVBAS21SLT1G手册

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NSVBAS21SLT1G概述

产品概述:NSVBAS21SLT1G

一、产品简介

NSVBAS21SLT1G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的高性能开关二极管,采用 SOT-23-3(TO-236)封装设计,适用于多种电子电路的应用。该产品特别适合在高压应用中提供可靠的电流整流和开关功能,具有出色的电气性能和优化设计,致力于提高电子设备的效率与稳定性。

二、关键参数

  1. 反向电压(Vr): 最大值为250V,使其能够在高压环境下可靠工作。
  2. 正向电压(Vf): 在 200mA 的工作条件下,其正向电压为 1.25V,适合大多数供电电源在功率限制条件下进行有效整流。
  3. 电流 - 平均整流(Io): 该二极管的平均整流电流高达225mA(DC),具有较强的电流承载能力,适合多种低至中等功率的应用。
  4. 反向泄漏电流: 在 200V 下,反向泄漏仅为100µA,这意味着在高压状态下,器件的能量损耗极低,保证了整体电路的高效能。
  5. 反向恢复时间(trr): 快速恢复特性,约为50ns,这使得该二极管在快速开关应用中表现优异,降低了应答时间。
  6. 电容特性: 在 0V 和 1MHz 的条件下,其电容值为5pF,适合高频应用,降低信号失真。

三、产品特点

  • 快速恢复二极管: 高达500ns的反向恢复时间支持在快速开关电路中有效工作,广泛应用于开关电源、整流器及其他动态负载环境中。
  • 表面贴装型: 采用 SOT-23 封装,尺寸小巧,便于自动化贴装,节省空间并提高了生产效率。
  • 稳定性强: 产品在不同的工作条件下表现出良好的稳定性,能够在温度变化和电压波动的环境中保持良好的性能。
  • 适用性广泛: NSVBAS21SLT1G 可广泛应用于多种电子产品中,包括电脑、网络设备、手机充电器、家用电器等领域。

四、应用领域

该二极管广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源: 用于变换器和电力整流部分,提高能效和稳定性。
  2. 信号整流: 在音频设备和通信设备中进行低功耗信号整流处理。
  3. 保护电路: 在电源管理系统中,防止反向电流损坏敏感部件。
  4. 高频开关电路: 支持在高频应用中提供可靠的开关和整流功能。

五、总结

NSVBAS21SLT1G 是一款性能卓越、功能全面的开关二极管,凭借其快速恢复特性、小巧的封装和高电压承受能力,适用于现代电子设备中的多种应用。选择 NSVBAS21SLT1G 将有助于提升产品的稳定性与可靠性,并在高效能方面优化电路设计,满足日益增长的市场需求。其出色的电流和电压特性使其成为设计师和工程师在选择元件时的重要参考。