DMN6040SK3-13
DMN6040SK3-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 40mΩ @ 20A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 42W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.4nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1287pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 42W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
DMN6040SK3-13手册
DMN6040SK3-13概述
产品概述：DMN6040SK3-13
一、基本信息
DMN6040SK3-13是由美台（DIODES）公司生产的一款高性能N沟道MOSFET场效应管，具备高效率和低功耗的特性，广泛应用于各种电子电路中，如开关电源、直流电机控制、LED驱动、负载开关等。该器件的主要特点包括高漏源电压（Vdss）、高连续漏极电流（Id）以及出色的导通电阻，能够满足现代电子设备对功率管理和热管理的苛刻要求。
二、核心参数
漏源电压（Vdss）：该器件的漏源电压最高可达60V，适合用于高压电源和电动机控制等场合。
连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，DMN6040SK3-13的连续漏极电流可达20A，提供了良好的负载能力，适合大功率应用。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：该器件的栅源极阈值电压为3V@250µA，能够与多种驱动电压兼容，确保在不同应用场景下的灵活性。
漏源导通电阻（Rds(on)）：在20A、10V的条件下，其导通电阻为40mΩ，极低的导通电阻可以显著减少功率损耗，提高转换效率。
最大功率耗散：在环境温度为25°C时，该MOSFET的最大功率耗散能力为42W，适应各种工作条件，提升系统可靠性。
工作温度范围：该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适合特殊环境下的应用。
三、技术特点
表面贴装型（SMD）：DMN6040SK3-13采用TO-252封装，具有良好的散热特性，适合自动贴片及密集布局。
高栅极电荷（Qg）：在10V的驱动下，栅极电荷达到22.4nC，结合适中的开关速度，适合高速开关应用。
输入电容（Ciss）：在25V时，输入电容为1287pF，确保系统在高频率下的稳定性与高效驱动。
最大Vgs值：该MOSFET的栅源最大电压为±20V，提供了较大的设计余量，提升了设计的灵活性和安全性。
四、应用领域
DMN6040SK3-13广泛应用于以下电子产品和系统中：
- 开关电源：用于DC-DC变换器中，提高能量转换效率。
- LED驱动电路：在LED照明应用中，实现高效能量管理。
- 电动机控制系统：用于电机驱动与控制，确保快速开关与高效的功率传输。
- 消费电子产品: 如计算机主板、电视机、音响等设备中，实现低功耗、高效率的电源管理。
五、总结
DMN6040SK3-13是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，凭借其卓越的电气性能、广泛的工作温度范围和适应性强的设计，成为电源设计、功率管理和各类控制电路中不可或缺的核心元件。通过合理的应用与设计，可以有效提升整个系统的性能和可靠性，降低能耗，是现代电子设备升级换代的理想选择。