电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 100V | 反向恢复时间 (trr) | 6ns |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA | 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 200mA(DC) |
安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1µA @ 100V |
二极管类型 | 标准 |
BAV70WT1G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高性能开关二极管,专为各种电子应用而设计。其独特的电子特性使其非常适合用于信号处理、开关电路及其它需要快速响应时间的应用场景。这款二极管采用 SOT-323 封装,具备卓越的空间利用率,同时还能确保良好的散热性能,适合于紧凑设计和高密度电路板。
电流和电压处理能力: BAV70WT1G 可以在长期使用中的稳定性表现出色,额定的正向电流为 200mA,具备良好的负载承受能力,能够满足多数常规应用的需求。
低正向电压: 该二极管在较高的工作电流(如 150mA)下仅表现出 1.25V 的正向电压,这意味着在开关期间的功耗非常低,进而提升了整个电路的效率。
快速响应时间: 其反向恢复时间(trr)仅为 6ns,使得 BAV70WT1G 能够在高频应用中有效工作,避免延迟带来的信号失真。
低反向泄漏: 在 100V 的条件下,反向泄漏电流仅为 1µA,显示出良好的泄漏特性,适合于要求高稳定性与低功耗的应用。
BAV70WT1G 可广泛应用于多种领域,包括但不限于:
信号处理: 由于其快速的开关特性,BAV70WT1G 特别适合用于频率较高、对响应速度有要求的信号调节和处理电路,如 RF 放大器。
开关电源: 该二极管可以作为开关电源中的整流元件,帮助提升转换效率,降低热量产生。
保护电路: 适用于对敏感电路进行电压保护,例如用于防止过压或功率冲击导致的损害。
其他应用: 由于其紧凑的封装形式,BAV70WT1G 可以轻松集成入任何小型电子设备中,如手机、计算机及各种便携式电子产品。
BAV70WT1G 采用 SOT-323 封装,这种封装设计使得其在占用更小的空间时,依然能保持优良的散热性能。针对表面贴装(SMT)技术,采用无铅焊接工艺,可以满足环保与可靠性的要求。
BAV70WT1G 是一种高效的开关二极管,凭借其优越的电气特性和多样的应用潜力,成为电子设计师理想的选择。无论您是在开发新产品,还是在寻求替代方案,BAV70WT1G 都能为您提供可靠的性能和卓越的成本效益。其出色的反向电压、高速恢复时间以及低泄漏特性使其能够满足当前市场对高效、可靠的电子元件日益增长的需求。