工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 存储容量 | 256Kb(32K x 8) |
安装类型 | 表面贴装型 | 电压 - 供电 | 2.7V ~ 5.5V |
技术 | FRAM(铁电体 RAM) | 存储器接口 | SPI |
时钟频率 | 20MHz | 存储器格式 | FRAM |
存储器类型 | 非易失 |
FM25W256-GTR是赛普拉斯(Cypress)推出的一款高性能非易失性存储器,采用先进的铁电体RAM(FRAM)技术。这款存储器以其出色的技术指标和广泛的应用场景,成为了电子设计领域中出色的选择,适合于需要频繁读写和安全数据存储的应用。
工作温度范围: FM25W256-GTR能够在广泛的温度范围内稳定工作,从-40°C到85°C的工作温度使其能够适应各种严苛环境。这一特性使得该存储器特别适合用于工业控制、汽车电子以及其他需要高耐受性的应用场景。
存储容量: 该产品提供256Kb的存储容量(32K x 8),满足了大多数应用对数据存储的需求,允许用户存储相对较大的信息量而不影响读取和写入性能。由于其高密度存储能力,FM25W256-GTR能够有效减少存储柜的空间需求,这在紧凑设计的电路板中尤为重要。
供电电压: FM25W256-GTR的供电电压范围为2.7V至5.5V,适配灵活,适用多种电源设计。这一宽电压范围确保了设备能够在不同的电源设计中获得理想的性能,降低系统设计的复杂度。
接口与通信: 该存储器支持SPI接口,时钟频率高达20MHz,确保了数据传输的快速性和高效性。SPI(串行外设接口)是一种通用的同步串行通信协议,使得FM25W256-GTR可以与多种微控制器和处理器无缝连接,便于集成和使用。
非易失性特征: FM25W256-GTR采用FRAM技术,这意味着它不仅允许频繁的写入,还能确保数据在断电时不会丢失。相比于传统的FLASH或EEPROM技术,FRAM在写入次数上具备极高的耐受性,通常在10^10次以上。这种特性使得FM25W256-GTR特别适合用于需要高度可靠性的应用,如电能表、工业控制器和医疗设备等。
封装设计: 采用SOIC-8-150mil封装,FM25W256-GTR在体积小巧的同时,也能够满足高密度电路板的需求。表面贴装型的设计使得该存储器易于自动化生产,进一步提高了制造效率。
FM25W256-GTR存储器因其独特的性能,广泛应用于多种领域,其中包括:
FM25W256-GTR是赛普拉斯推出的一款具有强大性能的铁电存储器,适合各种应用场景,尤其是在需要快速读写和非易失性存储的情况下。其宽温范围、卓越的耐写入性能、灵活的电源选项及易于集成的SPI接口设计,使得它成为现代电子设备中不可或缺的重要组成部分。对于开发人员而言,FM25W256-GTR是一种值得信赖的解决方案,能够帮助他们提升产品的可靠性与性能。