AO4496 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO4496

商品编码: BM0000001330
品牌 : 
AOS
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 10A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.598
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.598
--
200+
¥0.412
--
1500+
¥0.374
--
3000+
¥0.35
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO4496参数

功率(Pd)3.1W反向传输电容(Crss@Vds)55pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19.5mΩ@10V
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V
漏源电压(Vdss)30V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)715pF@15V连续漏极电流(Id)10A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

AO4496手册

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AO4496概述

AO4496 产品概述

一、产品简介

AO4496是一款高性能的N沟道MOSFET,具有高达3.1W的功率、30V的耐压及10A的持续电流能力,采用SO-8封装。该产品由著名的半导体制造商AOS(Alpha & Omega Semiconductor)生产,专为高效能、低功耗的电子设备设计。随着电子产品日益向高集成度和小型化发展,AO4496凭借其优越的特性,广泛应用于各种领域,如开关电源、DC-DC转换器、马达驱动、电池管理系统等。

二、技术规格

  1. 电压和电流特性:

    • 耐压: AO4496的最大耐压为30V,适用于多种低压应用环境。
    • 连续导通电流: 该MOSFET可承受最大10A的连续导通电流,适用于大多数中等功率电路。
  2. 热特性:

    • 功耗: 最大功耗为3.1W,使得AO4496在负载条件下运作时能够保持较低的温升,降低了热管理的复杂性。
    • 热阻: 此MOSFET具有极低的热阻,保证了良好的散热性能,提高了器件的可靠性。
  3. 电气特性:

    • 门极阈值电压(Vgs(th)): AO4496具有合理的门极阈值电压,确保在低电压驱动下即可快速开启并导通,适应各种控制信号。
    • 导通电阻(Rds(on)): 其导通电阻极低,能够有效降低电能损耗,提高系统的整体效率。
  4. 封装和尺寸:

    • 封装形式: SO-8封装不仅提供较小的占位面积,还能有效散热,适合密集布局的电路板设计。
    • 尺寸: 该封装的紧凑性使其可轻松集成在各类电子设备中。

三、应用领域

AO4496的设计使其能够广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源(SMPS):

    • 在开关电源中,AO4496可用作主开关元件或同步整流器,提高系统效率和稳定性。
  2. DC-DC转换器:

    • 在降压和升压转换器中,AO4496的高效率和快速开关特性能够保证较好的转换效率,应对负载变化时也能提供稳定的输出电压。
  3. 马达驱动:

    • AO4496适合于电机控制应用中,能够高效地驱动无刷直流电机和步进电机,提升转动性能和系统响应速度。
  4. 电池管理系统:

    • 在电池管理系统中,该MOSFET用于电池充放电控制,有助于提高电池的安全性和使用寿命。

四、优势和特点

AO4496具有以下几个显著优势:

  • 高集成度: SO-8封装使其占用空间小,有助于提高整体电路的集成度。
  • 优异的热性能: 其设计保证了在高电流下的良好散热性能,使系统在高负载下能够稳定运行。
  • 灵活的应用: AO4496的广泛适用性,使其非常适用于各类电子设备,尤其是在小型化和功率密集型应用中。
  • 高效率: 由于其较低的Rds(on)值和较小的开关损耗,确保了整体系统的高效能运行。

五、结论

综上所述,AO4496是一款多功能的N沟道MOSFET,它集成了高效能、优异的电气特性与良好的热管理设计,适合用于现代电子设备和各种复杂应用场景。无论是在消费者电子、工业控制还是新能源设备中,AO4496都能提供稳定而高效的性能,满足不断提升的市场需求,使其成为电子工程师首选的开关元件之一。