功率(Pd) | 3.1W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 55pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19.5mΩ@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 715pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 10A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
AO4496是一款高性能的N沟道MOSFET,具有高达3.1W的功率、30V的耐压及10A的持续电流能力,采用SO-8封装。该产品由著名的半导体制造商AOS(Alpha & Omega Semiconductor)生产,专为高效能、低功耗的电子设备设计。随着电子产品日益向高集成度和小型化发展,AO4496凭借其优越的特性,广泛应用于各种领域,如开关电源、DC-DC转换器、马达驱动、电池管理系统等。
电压和电流特性:
热特性:
电气特性:
封装和尺寸:
AO4496的设计使其能够广泛应用于以下领域:
开关电源(SMPS):
DC-DC转换器:
马达驱动:
电池管理系统:
AO4496具有以下几个显著优势:
综上所述,AO4496是一款多功能的N沟道MOSFET,它集成了高效能、优异的电气特性与良好的热管理设计,适合用于现代电子设备和各种复杂应用场景。无论是在消费者电子、工业控制还是新能源设备中,AO4496都能提供稳定而高效的性能,满足不断提升的市场需求,使其成为电子工程师首选的开关元件之一。