MURD620CTT4G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MURD620CTT4G

商品编码: BM0000001319
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
0.466g
描述 : 
通用二极管 1对共阴极 1.2V@3A 200V 3A DPAK
库存 :
467(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
2.85
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.85
--
100+
¥2.19
--
1250+
¥1.91
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

MURD620CTT4G参数

二极管配置1 对共阴极安装类型表面贴装型
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)3A二极管类型标准
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1V @ 3A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200V工作温度 - 结-65°C ~ 175°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5µA @ 200V反向恢复时间 (trr)35ns

MURD620CTT4G手册

MURD620CTT4G概述

产品概述:MURD620CTT4G

1. 一般信息

MURD620CTT4G 是一款高性能的双向快速恢复整流二极管,采用共阴极配置,主要由 ON Semiconductor(安森美)制造。它采用 DPAK 封装,这种表面贴装型封装使其具备良好的散热性能和电气特性,适合多种电子应用场合,特别是在要求快速切换与高效率的电源管理系统中。

2. 主要技术参数

  • 配置:该二极管采用 1 对共阴极设计,支持在较高的电压和电流条件下工作。
  • 电流特性:该二极管的平均整流电流(Io)达到每个二极管 3A,适合用于需要中高电流整流的应用。
  • 电压特性:最大直流反向电压(Vr)可达 200V,能够满足大多数电源应用的需求,同时确保在高电压条件下的可靠运行。
  • 正向电压:在 3A 的工作条件下,正向电压降为 1V,这为确保高效率的电源转换提供了基础。
  • 工作温度范围:其工作结温范围从 -65°C 到 175°C,极大地拓宽了其应用场景,包括工业级和汽车电子产品。

3. 动态特性

  • 反向恢复时间(trr):MURD620CTT4G 拥有 35ns 的快速反向恢复时间,适合于高频工作条件,进一步提升了其在切换应用中的表现。
  • 反向漏电流:在 200V 的反向电压下,其反向漏电流仅为 5µA,显示了良好的绝缘性能和可靠性。
  • 速度特性:其快速恢复特性满足大于 200mA 的负载条件,为高效能的电路设计提供支持。

4. 应用场景

MURD620CTT4G 广泛应用于:

  • 电源适配器:可用于 AC/DC 转换的整流模块,确保高效的电能转化。
  • 直流电机驱动:适用于电机反向和制动电路,提供快速的开关能力。
  • 电压保护:可作为电路中的保护器件,防止反向电压导致的破坏。
  • LED 驱动电源:有效地参与在 LED 照明电源中的整流过程。

5. 封装与安装

MURD620CTT4G 采用 DPAK 封装,其特点是引脚布局便于在 PCB 板上进行表面贴装,降低了组装难度,同时增强了散热性能。其紧凑的封装尺寸允许在空间受限的应用中使用。

6. 产品优势

  • 高效性:该产品从正向电压降到漏电流性能都表现出色,有助于提高整体能效。
  • 广泛的工作温度范围:能够在极端温度下稳定工作,增加系统的可靠性。
  • 快速响应:反向恢复特性使其在高频操作中尤为有效,满足现代科技对高速性能的需求。
  • 高耐压:200V 的反向电压能力使其适合多种电压环境,有利于设计成本控制。

7. 结论

MURD620CTT4G 是一款兼具高性能和高可靠性的重要电子元器件,适合多种应用环境。凭借其优良的电气特性和稳定性,MURD620CTT4G 被广泛认为是在现代电源设计和电机驱动系统中不可或缺的二极管选择。对于工程师而言,这款产品无疑是进行高效电路设计的理想方案。