SIR836DP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.241g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.9W；15.6W 40V 21A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
2438(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
3.16按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.16
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100+
￥2.53
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750+
￥2.26
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1500+
￥2.14
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3000+
￥2.03
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIR836DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 21A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 19mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 15.6W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 3.9W（Ta），15.6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR836DP-T1-GE3手册
SIR836DP-T1-GE3概述
SIR836DP-T1-GE3 产品概述
一、基本信息
SIR836DP-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装，专为高效率和低功耗应用设计。该器件的漏源电压（Vdss）为 40V，最大连续漏极电流（Id）可达 21A（在 25°C 下），使其适用于多种电子电路，特别是在需要较高电流和电压的情况下。该 MOSFET 的设计兼顾了低导通电阻（Rds On）和高功率耗散能力，展现出极佳的电气性能。
二、结构和性能参数
SIR836DP-T1-GE3 属于金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）技术，其核心特性包括：
- 漏源电压 (Vdss)：40V，适用于中低电压电源管理电路。
- 连续漏极电流 (Id)：21A (Tc)，提供强大的输出能力，可以满足实际应用中的高电流需求。
- 栅源阈值电压 (Vgs(th))：2.5V @ 250µA，这表示当栅极电压达到此值时，MOSFET 开始导通，具有较好的开关特性。
- 导通电阻 (Rds On)：19 mΩ @ 10A, 10V，表明在额定电流下，该器件提供了低的电阻，能有效降低功耗和发热。
- 最大功率耗散：在环境温度 25°C 时，器件的最大功率耗散为 15.6W（在晶体管壳体温度下）。当在更高温度下利用，最大功率耗散为 3.9W（在 25°C 环境温度下）。
三、应用范围
SIR836DP-T1-GE3 的设计使其能够被广泛应用于以下场景：
- 电源管理：该MOSFET可以用于开关电源、DC-DC 转换器、LDO（线性稳压器）等电源管理电路中，有效提升能量转换效率。
- 马达驱动：在马达控制电路中，凭借其高电流承载能力，可以有效驱动各种小型电机。
- 直流电机驱动器：因具备快速开关特性和低导通电阻，该器件适用于直流电机的驱动和控制。
- 电池管理系统：应用在电池充电和功率切换领域中，能够有效管理电池的充电和放电过程。
四、温度范围与安装
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C（TJ），极大提高了其在不同工作环境中的适用性。其表面贴装型（SMT）设计允许易于集成到各种电路板上，适合于现代电子设备的小型化趋势。
五、结论
SIR836DP-T1-GE3 的高性能特性包括优秀的电流承载能力、较低的导通电阻以及可靠的热管理能力，使其在多种高性能应用中成为理想选择。VISHAY（威世）作为知名电子元器件制造商，其推广该款 MOSFET 的决策，也是基于市场对高效能、高耐久性器件日益增长的需求。凭借其广泛的应用场景及优异的电气性能，SIR836DP-T1-GE3 将为设计者和工程师在电源管理、马达控制等领域提供有力支持。