额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 22 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 22 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 功率 - 最大值 | 250mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PDTA124ET,215是一款由Nexperia(安世)制造的高性能数字晶体管,采用了常见的SOT-23-3封装形式。这款PNP型预偏置晶体管在功率和电流参数上具有优秀的性能,适用于广泛的电子电路设计,包括信号放大、开关控制和电流驱动等应用场景。
额定功率:250mW
集电极电流(Ic):最高100mA
集射极击穿电压(Vce):最高50V
电流增益(hFE):最低60 @ 5mA,5V
Vce饱和压降:最高150mV @ 500µA,10mA
电流截止:最大1µA
PDTA124ET,215适合用于多种电子应用,包括但不限于:
在设计电路时,需要考虑整体工作温度以及散热设计,以保证PDTA124ET,215在额定功率下长时间稳定操作。同时,合理选择基极电阻(R1: 22 kΩ)和发射极电阻(R2: 22 kΩ),可以优化电路的响应速度和增益特性。
PDTA124ET,215是一款功能强大的PNP型数字晶体管,兼具低功耗和高性能特性,适用范围广泛,非常适合当前数字电路和模拟信号处理的需求。其紧凑的SOT-23封装和优良的电气特性,使其成为设计工程师在开发新产品时的首选组件。无论是在开发新型消费电子产品,还是在专业工业应用中,PDTA124ET,215都能提供稳定可靠的性能表现。