STD80N10F7

产品概述：STD80N10F7 N 通道 MOSFET

基本信息 STD80N10F7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应管），由知名半导体制造商意法半导体 (STMicroelectronics) 生产。此 MOSFET 采用 DPAK 封装，能够为各种电子应用提供卓越的性能，特别是在高电压和高电流条件下。

技术参数

• 漏源电压（Vdss）：此型号的最大漏源电压为 100V，确保其在高电压应用中运行稳定，能够满足许多工业和消费电子设备的需求。
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，该器件能够承受高达 70A 的连续漏极电流（在适当的散热条件下）。
• 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅极电压下，当漏极电流为 40A 时，最大导通电阻为 10 毫欧。这表明该 MOSFET 具有极低的导通损耗，从而提高了系统的能效和性能。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在 250µA 的漏电流下，Vgs(th) 的最大值为 4.5V，适合控制电路设计。

性能特点 STD80N10F7 的设计旨在优化电气性能，在许多苛刻的条件下运行。其中，栅极电荷（Qg）为 45nC（在 10V 时测得），这一特性使得驱动电路的设计更为简便，降低开关损失和驱动功耗。

此外，该器件的输入电容（Ciss）为 3100pF（在 50V 时测得），这一特性是 MOSFET 开关频率和效率的重要指标之一，确保其在高频开关应用中表现优异。其输入电容与栅极电荷相结合，适合用于高频、高效的电源转换器和电机驱动器。

温度特性 STD80N10F7 的工作温度范围极为宽广，工作温度从 -55°C 到 175°C，适用于严酷的环境条件。这一特性使得该元件非常适合航空航天、汽车电子、工业控制等极端环境的应用。

散热能力与功率耗散 此 MOSFET 的最大功率耗散能力为 85W（在相应的散热条件下）。配合低导通电阻和高漏极电流承载能力，使其在高功率应用中表现出色，如电源管理、开关电源和逆变器等。

应用场景 STD80N10F7 可以广泛应用于：

• 电力电子：用于高性能开关电源、DC-DC 转换器以及通信设备的电源管理。
• 汽车电子：如电机驱动、灯光控制、功率开关等。
• 工业应用：用于电动机控制、能量储存系统等，可提升系统的整体电气性能。

总结 STD80N10F7 是一款高效能、可靠性的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气参数和广泛的工作温度范围，能够支持多种高电压、高电流的应用需求。其出色的导通电阻、功率耗散能力与较高的工作温度范围，使得它成为电力电子领域中不可或缺的重要器件，尤其适用于需要高性能和高效能的现代电子设计方案。