MUR1100ERLG 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MUR1100ERLG

商品编码: BM0000001272
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
轴向
包装 : 
编带
重量 : 
0.349g
描述 : 
快恢复/高效率二极管 独立式 1.75V@1A 1kV 1A DO-41
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.12
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.12
--
100+
¥0.862
--
1250+
¥0.718
--
2500+
¥0.653
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MUR1100ERLG参数

安装类型通孔电流 - 平均整流 (Io)1A
反向恢复时间 (trr)100ns速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10µA @ 1000V电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1000V
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.75V @ 1A
二极管类型标准

MUR1100ERLG手册

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MUR1100ERLG概述

MUR1100ERLG 产品概述

产品简介

MUR1100ERLG 是由安森美(ON Semiconductor)公司推出的一款高效率快恢复二极管,特别设计用于高压直流应用。作为一款具有优越性能的标准二极管,MUR1100ERLG 提供了最大 1A 的平均整流电流,适用于各种消费电子、工业以及电源管理等场合。该产品具备高达 1000V 的直流反向电压,广泛应用于对电压和电流有较高要求的电路设计中。

关键特性

  1. 电流与电压规格

    • 平均整流电流(Io):最大 1A,适合常见的电源和信号处理应用。
    • 反向电压(Vr):最大 1000V,确保在高压环境下的稳定性能。
    • 反向泄漏电流:在 1000V 反向电压下,反向泄漏电流低至 10µA,降低了功耗和热量产生,提高系统的整体效率。
  2. 热性能与工作环境

    • 工作温度范围:-65°C 至 175°C,适合于极端的环境条件,使其能够在高温和低温的应用中保持可靠性。
  3. 恢复特性

    • 反向恢复时间(trr):100ns,快速恢复能力使其成为高频开关电源和脉冲电流应用的理想选择。
    • 速度:快速恢复,具备在电流大于 200mA 时≤ 500ns 的性能,能有效减少开关过程中的浪涌电流。
  4. 封装设计

    • 封装类型:轴向封装(DO-41),便于在各种电路板上进行安装,适合应用于空间限制较小的设备。
  5. 正向电压降

    • 正向电压(Vf):1.75V @ 1A,为系统提供较低的导通损耗,从而提升效率并减少发热。

应用场景

MUR1100ERLG 在多种应用场景中表现出色,尤其是在高频开关电源、直流电机驱动、整流电源、逆变器和信号调节电路中。由于其宽广的工作温度范围和高电压承受能力,这款二极管也非常适合用于工业控制、汽车电子以及医疗设备等领域。

在电动汽车充电站的电源管理系统中,MUR1100ERLG 可作为反向保护二极管,保证电池组在连接或断开过程中能够安全稳定地工作。其快速恢复特性使其在电源转换过程中能够有效减少电能损耗。

使用建议

为了确保 MUR1100ERLG 的最佳性能,推荐在设计中的 PCB 布局时,优化导线宽度,以降低电感和电阻。此外,在高压工作条件下,设计者应确保足够的间距以避免击穿现象。

在选择替代品时,应确保所选二极管的电流、反向电压以及设备工作环境的相容性,避免由于参数不匹配导致的设备故障。

总结

MUR1100ERLG 是一款具备高效率和可靠性的快恢复二极管,适用于各种高电压和高电流的应用场合。其独特的工作特性和优越的环境适应能力使其在当今快速发展的电子市场中占有一席之地。无论是在消费电子、工业自动化还是在汽车电气系统,其卓越的性能都能够满足严苛的要求。选择 MUR1100ERLG,您将能为您的设计带来更多的灵活性与可靠性。