PSMN4R0-40YS,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PSMN4R0-40YS,115

商品编码: BM0000001267
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
LFPAK56,Power-SO8
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 106W 40V 100A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.44
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.44
--
100+
¥5.37
--
750+
¥4.88
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述

PSMN4R0-40YS,115参数

漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 1mA漏源导通电阻4.2mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)106W(Tc)类型N沟道
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.2 毫欧 @ 15A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)38nC @ 10VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2410pF @ 20V功率耗散(最大值)106W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8封装/外壳SC-100,SOT-669

PSMN4R0-40YS,115手册

PSMN4R0-40YS,115概述

PSMN4R0-40YS,115 产品概述

一、产品简介

PSMN4R0-40YS,115 是由全球领先的半导体供应商 Nexperia(安世半导体)生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该产品以其出色的电气特性和高效的热管理能力,尤其适合在高效能电源管理、逆变器、电机驱动和其他功率转换应用中发挥关键作用。

二、主要技术参数

  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 100A @ 25°C,Tc
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 1mA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 4.2mΩ @ 15A,10V
  • 最大功率耗散(Pd): 106W @ Ta=25°C,Tc
  • 最大栅极电压(Vgs): ±20V
  • 栅极电荷 (Qg): 38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss): 2410pF @ 20V
  • 工作温度范围: -55°C ~ 175°C
  • 封装类型: LFPAK56 和 Power-SO8

三、应用场景

PSMN4R0-40YS,115 适用于多种电力电子应用,包括但不限于:

  1. 电源管理: 在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中,这款 MOSFET 可用作主开关或辅助开关,以实现高效能的电能转换。

  2. 功率放大器: 在射频应用和音频放大器中的功率级中,PSMN4R0-40YS,115 的低导通电阻有助于降低热耗散,提高设备的整体效率。

  3. 电机驱动: 在电动机控制系统中,该 MOSFET 用于实现电流的快速切换,为电机提供精确的控制。

  4. 逆变器: 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中,具备高频开关特性及低导通损耗特性的 PSN4R0-40YS,115 可以有效提升效率,延长系统使用寿命。

四、优越的性能特征

  1. 低导通电阻: 4.2mΩ 的低 Rds(on) 特性使得 PSN4R0-40YS,115 在满载时具有极低的功耗,从而减少热量产生。

  2. 高电流承载能力: 在 25°C 的环境温度下,该器件能够承载高达 100A 的连续漏极电流,非常适合高负荷场合。

  3. 宽工作温度范围: 适应 -55°C 到 175°C 的广泛工作温度使得该 MOSFET 可以在各种严苛的工作环境中保持稳定性能。

  4. 优良的热稳定性: 最大功率耗散达到 106W,确保了在持续高负荷下仍能保持良好的散热性能。

五、封装与安装

PSMN4R0-40YS,115 提供 LFPAK56 和 Power-SO8 封装选项,其中 LFPAK56 表面贴装设计可显著节省电路板空间,同时增强热管理能力。这些封装设计使得产品易于集成和焊接,适合于现代电子产品的紧凑布局。

六、总结

综上所述,PSMN4R0-40YS,115 是一款性能卓越、可靠性高的 N 沟道 MOSFET,以其出色的电气与热特性而闻名,适用于广泛的工业和汽车电子应用。无论在高效能电源设计还是在苛刻环境中的应用,该器件都表现出色,满足现代电子设备对效率与尺寸的苛刻要求。对于寻求高效、低损耗解决方案的设计工程师,PSMN4R0-40YS,115 将是一个理想的选择。