漏源电压(Vdss) | 40V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 100A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 4.2mΩ @ 15A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 106W(Tc) | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.2 毫欧 @ 15A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 38nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2410pF @ 20V | 功率耗散(最大值) | 106W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | LFPAK56,Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
PSMN4R0-40YS,115 是由全球领先的半导体供应商 Nexperia(安世半导体)生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该产品以其出色的电气特性和高效的热管理能力,尤其适合在高效能电源管理、逆变器、电机驱动和其他功率转换应用中发挥关键作用。
PSMN4R0-40YS,115 适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
电源管理: 在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中,这款 MOSFET 可用作主开关或辅助开关,以实现高效能的电能转换。
功率放大器: 在射频应用和音频放大器中的功率级中,PSMN4R0-40YS,115 的低导通电阻有助于降低热耗散,提高设备的整体效率。
电机驱动: 在电动机控制系统中,该 MOSFET 用于实现电流的快速切换,为电机提供精确的控制。
逆变器: 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中,具备高频开关特性及低导通损耗特性的 PSN4R0-40YS,115 可以有效提升效率,延长系统使用寿命。
低导通电阻: 4.2mΩ 的低 Rds(on) 特性使得 PSN4R0-40YS,115 在满载时具有极低的功耗,从而减少热量产生。
高电流承载能力: 在 25°C 的环境温度下,该器件能够承载高达 100A 的连续漏极电流,非常适合高负荷场合。
宽工作温度范围: 适应 -55°C 到 175°C 的广泛工作温度使得该 MOSFET 可以在各种严苛的工作环境中保持稳定性能。
优良的热稳定性: 最大功率耗散达到 106W,确保了在持续高负荷下仍能保持良好的散热性能。
PSMN4R0-40YS,115 提供 LFPAK56 和 Power-SO8 封装选项,其中 LFPAK56 表面贴装设计可显著节省电路板空间,同时增强热管理能力。这些封装设计使得产品易于集成和焊接,适合于现代电子产品的紧凑布局。
综上所述,PSMN4R0-40YS,115 是一款性能卓越、可靠性高的 N 沟道 MOSFET,以其出色的电气与热特性而闻名,适用于广泛的工业和汽车电子应用。无论在高效能电源设计还是在苛刻环境中的应用,该器件都表现出色,满足现代电子设备对效率与尺寸的苛刻要求。对于寻求高效、低损耗解决方案的设计工程师,PSMN4R0-40YS,115 将是一个理想的选择。