2SAR552P5T100
2SAR552P5T100参数
| 晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 50mA，1A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 500mW | 频率 - 跃迁 | 330MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | MPT3 |
2SAR552P5T100手册
2SAR552P5T100概述
产品概述：2SAR552P5T100 PNP晶体管
一、产品简介
2SAR552P5T100是一款高性能的PNP型双极性晶体管（BJT），由知名电子元器件制造商ROHM（罗姆）生产。该晶体管以其卓越的电流承载能力、高增益和广泛的工作温度范围，广泛应用于各种电子电路中，如功率放大器、开关电路及线性调节器等。其典型的应用场景包括消费电子、工业控制、通信设备等领域，满足现代电子设计对于元器件高效能与热稳定性的需求。
二、技术参数及特点
电流与电压特性： 2SAR552P5T100的最大集电极电流（Ic）为3A，能够满足高功率应用的需求。同时，其最大集射极击穿电压（Vce）为30V，在大多数模拟和数字电路中提供了足够的安全余量。该晶体管在额定工作电压下，表现良好的截止电流，最大值为1µA（ICBO），极大减少了漏电流的影响。
饱和压降表现： 在不同的基极电流（Ib）和集电极电流（Ic）条件下，Vce的最大饱和压降为400mV（在50mA和1A条件下测得），这对于需要低功耗和高效率的应用尤为重要，确保设备在高负载条件下依然能够保持较高的效率。
增益特性： 该器件在500mA时，具有不低于200的直流电流增益（hFE），意味着在开关和放大模式下均能提供良好的驱动能力。例如，在音频放大和开关控制电路中，这一增益特性保证了信号处理的准确性和稳定性。
功率处理能力： 2SAR552P5T100的最大功率为500mW，适合用于需要较大功率处理的外围电路设计，能够为设计师提供充足的灵活性以应对各种电气负载的需求。
频率响应： 该晶体管的跃迁频率为330MHz，意味着在高频应用中亦表现出色，适合于通信设备及信号放大应用，能够有效处理高速开关信号。
温度适应性： 工作温度范围可达150°C，使其适用于高温环境下的应用，特别是在工业和汽车电子等领域，对于提高产品可靠性和稳定性至关重要。
安装与封装： 2SAR552P5T100采用表面贴装（SMD）型封装MPT3（TO-243AA），有助于节省PCB空间，适合现代小型化设备的设计需求。其优良的散热特性减小了因温升导致的功率损耗和失效风险。
三、应用领域
由于其出色的电气性能，2SAR552P5T100适合用于多种应用场合：
- 音频功率放大器：在音频设备中，能够作为输出级放大器，确保高质量的音频传输。
- 开关电路：能够高效地控制较高电流的负载，特别适用于电力驱动开关控制。
- 电源管理：广泛应用于线性调节器和DC-DC转换器，支持高效的电源管理解决方案。
- 信号处理：适用于现代通信设备及其他要求快速响应及高增益的信号处理模块。
四、总结
2SAR552P5T100是一个兼具高性能和高可靠性的PNP晶体管，凭借其出众的电流和电压特性、良好的线性增益和热稳定性，成为电子设计师的理想选择。通过合理的电路设计，能够充分发挥其特性，满足各种复杂应用的需求，是提升电子产品性能与能效的不二之选。选择ROHM的2SAR552P5T100，将为您的设计带来新的可能性。