SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3 产品概述

SIRA04DP-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由全球知名的电子元器件制造商 VISHAY（威世）推出。该器件被广泛应用于电源管理、开关电源、继电器驱动以及其他功率放大和控制电路中，因其出色的电气特性和热性能而深受设计师和工程师的青睐。

主要规格参数

1. 工作电压与电流：

   • 漏源电压（Vdss）：30V，使其适用于低压到中压的应用。
   • 连续漏极电流（Id）：在25°C 环境温度下，器件能够承受额定的连续漏极电流为40A，展示了其强大的电流承载能力。

2. 驱动电压：

   • 在不同的栅源电压（Vgs）下，SIRA04DP-T1-GE3 能够实现不同的导通电阻（Rds On）。在4.5V 驱动时最小导通电阻，检测导通电阻最大可达2.15毫欧，适用于高效能的功率转换。

3. 门极阈值电压：

   • 其阈值电压（Vgs(th)）最大为2.2V @ 250µA，这表明该器件在较低的栅源电压下就能良好导通，有助于降低开关损耗。

4. 栅极电荷与输入电容：

   • 在10V 驱动下，器件的栅极电荷（Qg）最大为77nC，低栅极电荷使器件能够在高频应用中快速切换。
   • 输入电容 (Ciss) 最大值为3595pF @ 15V，良好的输入阻抗特性有助于提高开关效率。

功耗与热管理

• 功率耗散：器件的最大功耗在环境温度（Ta）下为5W，而在结温（Tc）下可以达到62.5W。强大的散热性能对于高功率应用至关重要，能够有效防止过热和损坏。
• 工作温度范围：该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C（TJ），这使得它在极端气候条件下仍能稳定工作，适合用于汽车电子、工业控制和军事应用等领域。

封装与安装

SIRA04DP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装，这种表面贴装型封装不仅性能优越，还能有效节省空间。其紧凑的设计使其易于在高密度电路板中集成，同时为散热性能提供了良好的条件。

应用场景

由于其广泛的电流、电压及频率特性，SIRA04DP-T1-GE3 可应用于多种场景，包括：

• DC-DC 转换器：用于效率优化和热管理的高效开关。
• 电机驱动：在电动工具和家用电器中驱动直流电动机。
• 充电器和适配器：在电源管理中确保稳定输出。

结论

SIRA04DP-T1-GE3 的设计体现了 VISHAY 对于器件性能与可靠性的不断追求，凭借其卓越的电气特性和广泛的应用适用性，使之成为众多现代电子设备中不可或缺的一部分。无论是在高频开关还是在高温环境下，该 MOSFET 都展现出了优异的性能和稳定性，是电子设计师和工程师在进行电源设计时值得信赖的选择。