BSS138TA
BSS138TA参数
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 50V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 50V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
BSS138TA手册
BSS138TA概述
BSS138TA 产品概述
产品概述
BSS138TA 是一款高性能 N 通道 MOSFET，专为各种电子应用设计，该元器件按照 TO-236-3 和 SOT-23-3 封装标准制成，具有优异的电气特性和可靠性。该 MOSFET 适用于许多领域，包括但不限于开关电源、功率管理、电机控制及其他自动化应用。凭借其较高的漏源极电压 (Vdss) 和连续漏极电流 (Id)，BSS138TA 在各种条件下表现出色，适合于便携式和消费电子产品。
关键参数
- 封装类型: SOT-23-3 / TO-236-3 / SC-59
- FET 类型: N沟道 MOSFET
- 漏源极电压 (Vdss): 50V
- 栅源电压 (Vgss): ±20V
- 连续漏极电流 (Id): 200mA (在 25°C 工作环境下)
- 驱动电压 (Vgs 开启): 10V (最小导通电阻条件下的操作电压)
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 3.5Ω @ 220mA, 10V
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 1.5V @ 250µA
- 输入电容 (Ciss): 最大 50pF @ 10V
- 功率耗散 (Pd): 最大 300mW (在25°C环境)
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
技术特性
BSS138TA 作为一种 N 通道 MOSFET，其特性使其在开关应用中具有优异的性能。低阈值电压 (Vgs(th)) 确保在较低的门电压下也能有效开启，适合与多种逻辑电平兼容的电路配合使用。高达 50V 的漏源极电压表明该设备能够承受较高的电压而不发生故障，这使得其在高电压应用中用途广泛。
该元器件的高导通电流能力（200mA）为各种负载供电提供了灵活性，能够有效处理高频率的开关操作。此外，其低 Rds(on) 和低输入电容 (Ciss) 特性有助于提高开关效率、降低热损耗。
应用场景
BSS138TA广泛应用于电源管理、负载开关、线性调节器、电机驱动和其他高频开关电路。由于其广泛的工作温度范围和高强度性能，这款 MOSFET 也非常适合用于航空航天、汽车和工业市场中的要求严格的应用。也因其小尺寸封装（如 SOT-23-3），适合于需要节省空间的 PCB 布局设计。
使用与设计建议
在设计中使用 BSS138TA 时，应考虑其栅源电压和漏源极电压的限制。特别是在高负荷和高功率的应用中，采用适当的散热措施以避免超过其最大功率耗散是至关重要的。在高频应用中，确保信号干扰最小化和焊接工艺的准确性，保证 MOSFET 的长久稳定使用。此外，虽然 BSS138TA 在低电流和低电压情况下表现优异，但在进行特殊设计时，应保持在推荐的工作参数范围内，以确保性能和可靠性的平衡。
总结
BSS138TA N 通道 MOSFET 是一款高度可靠和性能优越的电子元件，其适合广泛的应用场景，能够满足现代电子设计的需求。其出色的电气性能、宽广工作温度范围以及紧凑封装，使其成为设计工程师和应用开发者的理想选择。无论是在消费电子、工业应用还是高端自动化设备中，BSS138TA 都能提供出色的性能和可靠的解决方案。