FDN352AP
FDN352AP参数
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A（Ta） |
| FET 类型 | P 通道 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.9nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 1.3A，10V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
FDN352AP手册
FDN352AP概述
产品概述：FDN352AP P沟道MOSFET
在现代电子设计中，MOSFET（场效应管）是一种重要的半导体器件，广泛应用于各种电源管理和开关电路中。FDN352AP 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的高性能P沟道MOSFET，具有较低的导通电阻、优良的开关特性和宽广的工作温度范围，非常适合应用于电源开关、线性调节器和负载开关控制等领域。
关键特性
电压和电流规格: FDN352AP 的漏源电压（Vdss）额定为30V，连续漏极电流（Id）为1.3A，确保在高压和高电流条件下的可靠运行。最大功率耗散为500mW（在环境温度Ta下），使其在不同工作条件下保持较低的热量生成。
栅源电压: 该MOSFET支持的栅源电压（Vgs）最大值为±25V，适应性强，适合那些需要更高控制灵活性的应用场景。如需启用该FET的高效开关操作，推荐使用驱动电压为4.5V至10V。
输入电容（Ciss）: 在Vds为15V时，最大输入电容为150pF，这使得FDN352AP在高频应用中展现出优良的增益和开关速度，减少了对驱动电路的负担。
导通电阻与门电荷: FDN352AP在1.3A和10V的条件下，导通电阻（Rds On）最大值为180毫欧。它的栅极电荷（Qg）在4.5V时最大值为1.9nC，意味着其开关速度较快，可以在快速开关应用中实现较低的开关损耗。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C（TJ），使其适用于极端环境下的电子应用，如汽车、工业控制和航空航天等领域。
封装与安装类型
FDN352AP 采用SuperSOT-3封装，具有表面贴装设计，能够满足现代电路板小型化和高密度安装的需求。这种封装形式为设计人员在布线和空间方面提供了极大的灵活性，同时也确保了良好的散热性能，适合高功率应用。
应用领域
FDN352AP广泛应用于以下几个领域：
- 电源管理：作为电源开关，能够有效地在各种负载条件下实现高效电能转换。
- 直流电机驱动：在电机控制系统中作为开关元件，实现电流的高效控制与调节。
- 负载开关：在具有高需求负载的应用中，可以实现可靠的电流开关控制，保证系统的安全性。
- 调节器：用于线性调节器中，在需要动态调整输出电压的场合，提供稳定的电源输出。
总结
FDN352AP是一款高性能的P沟道MOSFET，凭借其优秀的电气性能和广泛的应用能力，成为电子设计工程师的首选器件之一。通过其低导通电阻、高工作温度和卓越的开关特性，FDN352AP能够满足现代电子设备对高效率和高可靠性的要求，助力各种终端产品在性能与经济性上的优化。无论是在快速开关电源、负载开关还是电流控制应用中，FDN352AP都能提供出色的解决方案。