2SK3018-TP
2SK3018-TP参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13pF @ 5V | 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
2SK3018-TP手册
2SK3018-TP概述
产品概述：2SK3018-TP N通道 MOSFET
基本信息
2SK3018-TP 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），属于美微科（MCC）品牌，采用 SOT-323 封装，适合表面贴装（SMD）应用。该器件具有广泛的应用场景，特别是在需要高效能与低功耗的电子电路中，如开关电源、信号放大、以及各种开关电路设计。其主要参数特性如下：
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：100mA（25°C时）
- 最大导通电阻（Rds(on)）：8Ω（在Id=10mA，Vgs=4V时）
- 门源阈值电压（Vgs(th)）：最大1.5V（在100µA时）
- 最大功率耗散：200mW（在环境温度25°C时）
- 工作温度范围：-55°C 到 150°C
- 输入电容（Ciss）：13pF（在5V时）
技术特点
低门驱动电压：2SK3018-TP 的门驱动电压为2.5V，具有良好的可驱动性，适合低电压应用。较低的驱动电压也有助于降低电源的功耗，提升系统的能效。
低导通电阻：该器件在较低的漏极电流状态下（如10mA）具有良好的导通电阻特性，最大8Ω的导通电阻可以确保在电流流通过程中产生较小的功耗，有效提高了整体电路的效率。
宽温范围：2SK3018-TP 可在 -55°C 至 150°C 的宽温环境中工作，对于恶劣环境下的应用场景，如汽车电子和工业设备，提供了极好的可靠性。
小型封装：SOT-323 封装使其占用的 PCB 空间极小，适合于高密度的电子设备，有助于整体设计的精简，为便携设备提供了解决方案。
应用领域
2SK3018-TP 的典型应用包括但不限于：
开关电源：在开关电源电路中，2SK3018-TP 可作为开关元件，提升电源转换效率，降低待机功耗，并且因其快速的开关特性，可以提高开关频率。
信号开关：在音频及视频信号传输中，利用 MOSFET 的高开关速度来实现信号的高保真切换，广泛应用于音响设备、显示器及其他消费电子中。
小型电机控制：适合在小型电机驱动应用中，提供快捷的开关控制，实现速度及扭矩的调节。
便携设备：由于其低功耗及小型化特点，2SK3018-TP 非常适合应用于智能手机、平板电脑等便携式电子设备中，助力电池续航。
结论
2SK3018-TP N 通道 MOSFET 是一款高效能、低功耗的小型元件，结合其优异的电气特性与广泛的应用领域，使其在现代电子设计中具备不可替代的价值。无论是在日常消费电子，还是在工业控制、汽车电子等复杂环境中，具有极高的适用性与可靠性。选择 2SK3018-TP 将为您的设计提供更高的灵活性和性能，实现卓越的电路解决方案。