晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 300mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 200V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 350mV @ 25mA,250mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 85 @ 250mA,10V |
功率 - 最大值 | 500mW | 频率 - 跃迁 | 150MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
FMMT596TA 是一款由 DIODES(美台)公司生产的高性能 PNP 型三极管,其主要应用于模拟和数字电路中,特别是在需要低电流、低饱和压降及高频特性的场合。该器件适合进行开关和放大应用,具有较大的集电极电流(Ic)最大值为300mA,以及集射极击穿电压(Vceo)最高可达200V,显示其在高压系统中良好的适用性。
电流能力:FMMT596TA 的集电极最大电流为300mA,这使得它能够处理较高的电流负载,适合在需要高功率控制的电路设计中使用。
击穿电压:其集射极击穿电压最大为200V,表明该器件在各种高压应用中具有出色的稳定性和安全性,能够保护电路免受过电压损害。
饱和压降:在电流为25mA和250mA时,Vce饱和压降的最大值分别为350mV和250mV。较低的饱和压降使得FMMT596TA在开关应用中可以实现更高的能效,减少功耗。
截止电流:其集电极截止电流最大为100nA,这意味着在非工作状态下,该器件的泄漏电流极小,能够有效降低静态功耗。
电流增益:FMMT596TA在集电极电流为250mA、Vce为10V的条件下,其直流电流增益(hFE)最低为85,实现了优秀的放大能力,为各类信号处理提供了良好的基础。
频率响应:其跃迁频率为150MHz,适合需高频响应的应用场合,使得该晶体管在快切换应用中表现优异。
功率处理能力:FMMT596TA的最大功率为500mW,适用于需要较大功率处理的电路。
FMMT596TA 适用 -55°C 至 150°C 的工作温度范围,表明它能够在极端环境条件下稳定工作。这样的热稳定性使得它特别适合航空航天、工业控制及其他要求严苛的应用领域。
FMMT596TA 采用 SOT-23 表面贴装封装形式,尺寸小巧,有助于在空间有限的应用中实现高密度布局。其便捷的安装方式提升了PCB设计的灵活性,并且能够减小电路板的整体尺寸。
FMMT596TA 适合广泛的应用场景,包括:
总的来说,FMMT596TA 是一款性能卓越、应用广泛的 PNP 晶体管,具有可靠的电气特性和优良的环境适应能力,能够满足现代电子产品对性能和效率的高要求。无论是在消费电子、工业设备还是高端航天项目中,FMMT596TA 都是一个值得信赖的选择,为设计师提供了更多的设计灵活性和稳定性。