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IRF610PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.64g
描述 :
场效应管(MOSFET) 36W 200V 3.3A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
5122(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
2.51按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.51
--
50+
￥1.92
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF610PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 140pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 36W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF610PBF手册
无数据
IRF610PBF概述
IRF610PBF 产品概述
1. 产品简介
IRF610PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，制造商为 VISHAY（威世）。该器件专为高电压和高电流应用设计，具有优越的开关特性和较低的导通电阻，使其在多种电子电路中得到了广泛应用。采用 TO-220AB 封装，IRF610PBF 提供了良好的散热特性，适合在较高环境温度下工作。
2. 关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 该器件的最大漏源电压为 200V，这使其适合高电压应用，例如电源管理、逆变器以及电力控制等场合。
- 连续漏极电流 (Id): IRF610PBF 的最大连续漏极电流为 3.3A（在 Tc=25°C下测量），这个电流等级使其在中等功率应用中表现良好。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动电压下，器件在 2A 的电流条件下的最大导通电阻为 1.5 欧姆。较低的导通电阻能够有效降低功率损耗并提高效率。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 对于 250µA 的标准电流，最大阈值电压为 4V，确保了该 MOSFET 在合理的栅极驱动电压条件下能够正常工作。
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 的栅极驱动下，器件的最大栅极电荷为 8.2 nC，这对驱动电路的设计至关重要，尤其是在快速开关应用中。
3. 应用领域
IRF610PBF 的设计使其适用于广泛的应用，包括：
- 开关电源: 在电源转换中，MOSFET 可作为开关元件用于提高能量转换效率，减少损耗。
- 电机驱动: 在电机驱动电路中，IRF610PBF 可用于控制电机的启停与转速调节。
- 逆变器: 该器件还可用于太阳能逆变器及其他高频逆变电路，作为功率转换的开关元件。
- 高频开关电路: Due to its fast switching capabilities, IRF610PBF is suitable for applications requiring rapid ON/OFF cycling.
4. 性能优势
作为 VISHAY 的产品，IRF610PBF 在性能和可靠性方面表现出色。
- 高功率密度: 最大功率耗散能力为 36W，允许在高功率应用中保持稳定运行。
- 宽工作温度范围: 器件能够在 -55°C 到 150°C 的温度范围内工作，确保在各种严苛环境条件下的可靠性。
- 良好的散热性能: TO-220AB 封装设计允许良好的散热，有助于延长元器件的使用寿命和提升整体系统的稳定性。
5. 安装与兼容性
IRF610PBF 采用通孔安装方式，便于在各种 PCB 设计中使用。其 TO-220 封装不仅有利于设备的小型化设计，还能很好地满足散热需求，使其成为现代电子设备设计中一种理想的选择。
结语
总之，IRF610PBF 是一款灵活且高效的 N 通道 MOSFET，适用于多种高电压与高电流电子应用。凭借其优异的电气特性和可靠的性能，IRF610PBF 能够满足严苛的工业和民用需求，是各类电源和驱动系统中不可或缺的关键元件。