额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 4.7 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 功率 - 最大值 | 250mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PDTA143ET,215 是一款高性能数字晶体管,具有额定功率为250mW,专为低功耗电子设备设计。作为一种PNP型预偏压晶体管,该器件在电路设计中提供了极高的灵活性和可靠性,适用于各种应用,包括开关控制、放大电路和其他模拟电路。
PDTA143ET,215的主要电气参数如下:
PDTA143ET,215 具有良好的电流处理能力和稳定性,使其适用于多种电路应用。具体而言,基极电阻 (R1) 和发射极电阻 (R2) 的标准值均设定为4.7 kOhms,这使得该晶体管在实现特定增益目标时具备较高的灵活性。此外,在不同的集电极电流 (Ic) 和基极电流 (Ib) 下的饱和压降最大值为150mV(在500µA,10mA下),确保在开关状态下的能量损耗极小,为整个电路的能效提供了保障。
PDTA143ET,215 的额定电流截止(Ic(max))为1µA,表明在关闭状态下的漏电流极低,进而提高了整体电路的性能和可靠性。此外,其表面贴装(SMD)设计(TO-236AB封装)使得安装过程简单方便,同时不同的封装类型(如SOT-23-3、SC-59等)提供了更多适应市场的灵活性。
PDTA143ET,215 特别适用于:
PDTA143ET,215 是市场上优秀的PNP预偏置晶体管之一,凭借其卓越的电气性能和灵活的应用能力,使其在现代电子设计领域中始终处于领先地位。设计师可以利用其稳定的性能和高效的设计,使得此器件在各种应用场景中表现出优异的效果,是实现低功耗、高效能电路设计的理想选择。无论是在个人电子设备、工业自动化,还是在科研实验中,PDTA143ET,215都展现出其强大的实用性和价值。