安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.4 欧姆 @ 250mA,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 15pF @ 25V | 工作温度 | 150°C(TJ) |
漏源电压(Vdss) | 60V | FET 功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
功率 - 最大值 | 150mW | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 1mA |
UM6K31NTN 是一款由 ROHM(罗姆)制造的场效应管(MOSFET),其主要特点为双 N-通道配置,专为表面贴装技术(SMT)设计,适用于各种低功耗应用。该器件在60V的漏源电压(Vdss)和250mA的连续漏极电流(Id)下表现出优异的性能,令人印象深刻。
封装形式: UM6K31NTN 的封装为 UMT6(SOT-363),这种紧凑型的封装设计使其适合高密度电路板,能够有效节省空间,特别适合便携式电子设备和小型消费电子产品。
功耗与电流能力: 该 MOSFET 的最大功率为150mW,工作温度可达150°C,这意味着它可以在高温环境下稳定工作,适合诸如汽车电子、工业控制系统等多种应用场景。连续漏极电流(Id)为250mA,能够满足中小功率应用的需求。
导通电阻与电压特性: 在不同的栅源电压(Vgs)下,该器件的导通电阻最大值为2.4Ω @ 250mA,10V,这还能在极低的电源电压下(如2.5V驱动的逻辑电平栅极)保持良好的导电性能,降低了系统的功耗,提高了效率。
输入电容与开关特性: UM6K31NTN 在不同漏源电压(Vds)下,其输入电容(Ciss)最大值为15pF @ 25V,适合高速开关应用。超低的输入电容使得该器件能够快速响应,适合用于开关电源、逆变器等需要频繁开关的电路。
阈值电压: 该 MOSFET 在 1mA 条件下的栅源阈值电压(Vgs(th))最大值为2.3V,这为系统设计提供了更多灵活性。设计工程师可以利用该特性,在不同的电压指令下确保器件的稳定开关工作。
UM6K31NTN 的特点使其适用于多种应用场景,包括但不限于:
UM6K31NTN 是一款具有广泛应用前景的高性能 N-通道 MOSFET,凭借其小巧的封装、高温稳定性、低导通电阻和快速开关特性,为现代电子设计提供了可靠的解决方案。ROHM(罗姆)作为全球知名的半导体制造商,凭借其先进的工艺和技术积累,不断推动电子器件的创新与发展。选择 UM6K31NTN,您将为您的设计项目带来卓越的效率和可靠性。