EMT1T2R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

EMT1T2R

商品编码: BM69415061
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 50V 150mA PNP SOT-563(SOT-666)
库存 :
37998(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.347
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.347
--
500+
¥0.232
--
4000+
¥0.201
--
8000+
¥0.18
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

EMT1T2R参数

晶体管类型2 PNP(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 1mA,6V
功率 - 最大值150mW频率 - 跃迁140MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装EMT6

EMT1T2R手册

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EMT1T2R概述

EMT1T2R 产品概述

基本介绍

EMT1T2R 是一款高性能的 PNP 型双极晶体管(BJT),由知名电子元件制造商 ROHM(罗姆)生产。该晶体管具有出色的电流和电压参数,主要应用于各种电子电路中,如放大器、开关电源等,适用于需要高效能和可靠性的电路设计。其采用 SOT-563 或 SOT-666 封装,使其能够在有限空间内提供卓越性能,适合表面贴装(SMD)技术。

主要参数

  1. 晶体管类型:本产品为 PNP 型双极晶体管,适合负载控制和信号放大等应用。
  2. 电流 - 集电极 (Ic):最大150mA,能够处理相对较高的负载电流,适合各种功率控制需求。
  3. 电压 - 集射极击穿 (VCEO):最大50V,确保在高电压环境下的稳定性与可靠性,是保护电路的重要参数。
  4. Vce 饱和压降:在 Ic 为 5mA 和 50mA 时,饱和压降最大为500mV,表明其在工作状态下的能量损耗较低,能够提高整体电路的效率。
  5. 电流 - 集电极截止 (ICBO):最大100nA,说明其在无信号条件下的漏电流极低,为低功耗电子设备的设计提供了良好的选择。
  6. DC 电流增益 (hFE):在 Ic 为 1mA 和 Vce 为 6V 状态下,最小增益为120,表现出良好的增益特性,适合信号放大的需求。
  7. 功率 - 最大值:150mW,适用中等功率应用,让其在温度和电流变化的条件下依然能保持性能稳定。
  8. 频率 - 跃迁:140MHz,意味着其在高频应用中也能稳定工作,适合高频开关电路。
  9. 工作温度:最高工作温度可达150°C(TJ),能够在高温环境中稳定工作,适合苛刻的工业应用。
  10. 安装类型:表面贴装型,适合现代电子设备的小型化设计。
  11. 封装/外壳:两种可选的封装形式 SOT-563 和 SOT-666,灵活适应各种电路板设计需求。
  12. 供应商器件封装:EMT6,为用户提供了更为便捷的使用和替换方式。

应用场景

EMT1T2R 的多样化特性使其广泛适用于以下应用:

  • 信号放大:由于其良好的增益特性,适用于音频放大器、无线信号放大器等。
  • 开关电路:可以在各种开关电源中作为开关器件,控制电源的开启和关闭。
  • 开关元件:在低功耗的装置中控制设备工作状态,如继电器驱动、灯光控制等。
  • 反馈回路:与运算放大器组合使用,可用于反馈控制系统,提高系统的稳定性与精度。

结论

EMT1T2R 是一款性能稳定、适应性强的 PNP 晶体管,凭借其高电流、高频率和低待机电流特性,满足现代电子设备对组件小型化和高效能的需求。ROHM(罗姆)作为全球知名的半导体制造商,其产品质量和可靠性得到了业内的一致认可,是电子设计工程师在进行电路设计时的理想选择。该器件广泛应用于消费类电子、工业设备及通信设备等多个领域,助力实现高效的电路性能和优异的用户体验。