DMP2004TK-7
DMP2004TK-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 430mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 175pF @ 16V | 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-523 | 封装/外壳 | SOT-523 |
DMP2004TK-7手册
DMP2004TK-7概述
DMP2004TK-7 产品概述
基础信息
DMP2004TK-7是一款P通道MOSFET（场效应管），其主要参数包括漏源电压（Vdss）为20V，具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流（Id）达430mA，适合各种低功耗应用。该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，满足严苛环境下的应用需求。其功率耗散能力为150mW（Ta），非常适合于小型、低功耗设计。
电子特性
DMP2004TK-7在多个电气参数上表现出色。其驱动电压（Vgs）需为1.8V到4.5V，这使得该器件能够在许多典型的逻辑电平控制电路中用作开关元件。此外，该MOSFET在运行时的导通电阻（Rds On）最大为1.1Ω @ 430mA，4.5V，这使得在实际使用中能够有效降低功耗，并提升整体工作效率。该器件的阈值电压（Vgs(th)）最大为1V @ 250µA，表明它具有良好的开启特性，能够在较低电压下迅速入门。
电容量特性
在输入电容（Ciss）方面，不同Vds条件下的最大输入电容为175pF @ 16V，这在高频应用中是一个重要的参数，影响到开关速度和电路的频率响应能力。因此，DMP2004TK-7能够支持较高的工作频率，适用于一些对开关速度有要求的设计。
封装与安装
DMP2004TK-7采用SOT-523封装，这是一种小型表面贴装封装，便利于高密度电路的设计。SOT-523封装不仅能保证良好的散热性能，同时也可以在空间有限的PCB上实现布线和布局的优化，非常适合现代电子设备对小型化和高集成度的需求。
应用场景
由于其优良的电气特性和封装形式，DMP2004TK-7被广泛应用于各种电子设备中。它非常适合以下应用场景：
- 电源开关：可用作电源管理装置中的负载开关或电源控制开关，支持多个电源通路的切换。
- 电动机控制：在小型电动机和执行器的驱动电路中，DMP2004TK-7可充当开关元件，实现有效的电机控制。
- 负载开关电路：E.g. LED驱动电路，该器件可以快速开关LED状态，有效节省能量。
- 便携式电子产品：由于其低功耗和小型封装，特别适用于手机、平板电脑和其他可穿戴设备中，确保电池续航能力。
- 快速充电设备：主要用于充电管理电路，DMP2004TK-7可快速响应负载变化，提供灵活的充电方案。
品牌与供应商
该产品由DIODES（美台）公司生产，这是一家在半导体行业具有良好声誉的企业，以提供高性能的电子元器件而闻名。DIODES公司的产品在市场上得到了广泛的应用，并且得到了众多设计工程师的认可与信赖。
结论
总的来说，DMP2004TK-7是一款具备多重优异特性的P通道MOSFET，适用于多种电子设计和应用场景。凭借其高效能、低功耗设计和可靠的电气特性，该元件在现代电子产品中的应用需求日益增长。其出色的性能和灵活性将极大地推动电子设备向更高的效能及集成度发展。