晶体管类型 | PNP | 集电极电流Ic | 150mA |
集射极击穿电压Vce | 500V | 额定功率 | 300mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 500V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 10mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 50mA,10V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 50MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PBHV9050T,215 是一款高性能的PNP型三极管,专为高电压和中等功率的应用而设计。该元器件由Nexperia(安世半导体)制造,采用环保的表面贴装封装(TO-236AB),适用于现代电子设备中的空间受限的设计需求。这种三极管的极高集电极电压和稳定的电流增益使得其在多种应用场合表现出色。
PBHV9050T,215适用于众多工业、消费电子及通信设备中,主要应用领域包括:
PBHV9050T,215三极管在设计时注重其频率响应和工作稳定性。50MHz的跃迁频率表明其适合高频率应用,这在RF区域及高频开关电源设计中尤为重要。针对不同工作条件,该器件展现出保持小信号增益的能力,从而减少了对整体电路性能的影响。
此外,该产品的高工作温度范围(最高可达150°C)使其能够适应严苛工作环境,具有良好的热稳定性。在进行长期运行时,其截止电流(Ic(off))仅为100nA,保证了低功耗和高效能。
PBHV9050T,215采用TO-236AB/SOT-23封装,这种小型表面贴装封装不仅节省了PCB空间,而且在自动化生产中易于操作与装配。武汉深度集成封装工艺提供了更好的电气性能与热传导能力,使得该晶体管在各种温度和电流条件下表现更加优异。
总的来说,PBHV9050T,215是一款集高压、高功率和良好温度稳定性于一体的PNP三极管,广泛适用于现代电子产品中。这款三极管不但具备优异的电气特性,同时在封装和安装上也体现出先进的设计理念,是电子工程师在设计各种电路时的理想选择。无论是在工业控制、消费电子,还是在通信设备中,它都能够发挥出色的性能,为用户提供可靠的解决方案。