功率(Pd) | 142W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
漏源电压(Vdss) | 75V | 类型 | 1个N沟道 |
TPH2R608NH,L1Q(M)是东芝(TOSHIBA)公司推出的一款绝缘栅场效应管,广泛应用于电子电路中的开关控制与功率放大。该MOSFET采用先进的QFN封装技术,具有高效率、低导通电阻及快速开关特性,特别适合应用于高频、高效能的电源管理和电机驱动系统中。
高性能电气特性:
频率响应:
热性能:
简易的驱动:
TPH2R608NH,L1Q(M)采用QFN(四方扁平无引脚)封装,这种封装类型具有良好的热管理和电气性能,能够有效减少电路占用的空间。QFN封装有助于实现更高的集成度,非常适合现代紧凑型电子设备的需求。
TPH2R608NH,L1Q(M)具有广阔的应用前景,主要涵盖以下几个领域:
开关电源(SMPS):
电机驱动:
电池管理系统(BMS):
消费电子产品:
TPH2R608NH,L1Q(M)作为东芝公司设计制造的一款高效能MOSFET,其优良的电气特性、合理的热管理及紧凑的封装形式,使其在电源管理、马达驱动及各类电子设备中扮演着重要角色。随着电子技术的不断进步,TPH2R608NH的应用前景将在各个领域中持续扩大,势必为设备的能效提升及性能优化带来新的可能性。