TPH2R608NH,L1Q(M 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

TPH2R608NH,L1Q(M

商品编码: BM69415036
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
QFN
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
1737(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
5.42
按整 :
-(1-有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.42
--
100+
¥4.52
--
1250+
¥4.19
--
2500+
¥3.99
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

TPH2R608NH,L1Q(M参数

功率(Pd)142W商品分类场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)75V类型1个N沟道

TPH2R608NH,L1Q(M手册

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无数据

TPH2R608NH,L1Q(M概述

产品概述:TPH2R608NH,L1Q(M) 绝缘栅场效应管 (MOSFET)

一、产品简介

TPH2R608NH,L1Q(M)是东芝(TOSHIBA)公司推出的一款绝缘栅场效应管,广泛应用于电子电路中的开关控制与功率放大。该MOSFET采用先进的QFN封装技术,具有高效率、低导通电阻及快速开关特性,特别适合应用于高频、高效能的电源管理和电机驱动系统中。

二、产品特性

  1. 高性能电气特性

    • 该MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on)),在提升电流承载能力的同时,显著减少功率损耗。这使得在高负载条件下,TPH2R608NH的热管理更加优越,提高了整体系统的可靠性。
  2. 频率响应

    • TPH2R608NH在开关频率上表现出良好的响应能力,这使得它非常适合用于开关电源(SMPS)和其他需要快速开关的应用场合。
  3. 热性能

    • 该元器件的热阻特性设计合理,可有效地散热,确保在高功率操作时仍然能保持较低的工作温度。
  4. 简易的驱动

    • 本MOSFET的栅极驱动电压要求相对较低,这为电路设计师在设计电路时提供了更多的灵活性。

三、封装与设计

TPH2R608NH,L1Q(M)采用QFN(四方扁平无引脚)封装,这种封装类型具有良好的热管理和电气性能,能够有效减少电路占用的空间。QFN封装有助于实现更高的集成度,非常适合现代紧凑型电子设备的需求。

  1. 封装优势
    • QFN封装的低剖面设计大幅度降低了电路板上的空间占用,适合于高密度集成电路的应用。
    • 此外,QFN封装具有良好的散热性和电磁干扰(EMI)性能,符合当前对电子元件日益提高的性能和可靠性要求。

四、应用领域

TPH2R608NH,L1Q(M)具有广阔的应用前景,主要涵盖以下几个领域:

  1. 开关电源(SMPS)

    • 该MOSFET广泛应用于开关电源设计中,尤其是在高效直流至直流(DC-DC)转换器中,提升电能转换效率。
  2. 电机驱动

    • 适用于各类直流和步进电机的驱动电路,能够提供高效的开关控制,提高电机运行的稳定性与性能。
  3. 电池管理系统(BMS)

    • 在电池充电与放电管理过程中,TPH2R608NH可以用作高效开关元件,以优化电能的使用。
  4. 消费电子产品

    • 随着智能手机、平板电脑等消费电子产品的普及,该MOSFET也是其内部电源管理系统的重要组成部分。

五、总结

TPH2R608NH,L1Q(M)作为东芝公司设计制造的一款高效能MOSFET,其优良的电气特性、合理的热管理及紧凑的封装形式,使其在电源管理、马达驱动及各类电子设备中扮演着重要角色。随着电子技术的不断进步,TPH2R608NH的应用前景将在各个领域中持续扩大,势必为设备的能效提升及性能优化带来新的可能性。