FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.5 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 135nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4730pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 143W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB7440PBF是一款高性能N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)生产。该产品在功率电子应用中表现出色,适用于多种要求高效能的电源管理和驱动电路。
IRFB7440PBF的额定漏源电压(Vdss)为40V,能够承受高达120A的连续漏极电流(Id),这些特性使其在车载电源、电机控制、开关电源以及其他需要高电流传输的应用中具有广泛的适用性。该器件在25°C环境温度下的功耗最大可达143W,拥有良好的热管理特性,满足高功率应用的需求。
在驱动电压为10V时,IRFB7440PBF保持了较低的导通电阻(Rds(on)),最高为2.5毫欧。这意味着在大电流应用中能显著降低传输损耗,提高系统整体效率。针对不同Id和Vgs条件,该器件的阈值电压(Vgs(th))最大值为3.9V(@100µA),确保在合理的栅极驱动条件下,快速开启和关闭,这对提升开关频率和减少开关损耗至关重要。
IRFB7440PBF的栅极电荷(Qg)最大值为135nC(@10V),这使得其具备较高的开关速度,适合快速切换应用。小的栅极电荷也有助于降低栅极驱动电路的功耗,提高系统的整体效能,尤其在高频开关电源中显得尤为重要。
该MOSFET输入电容(Ciss)在25V时的最大值为4730pF,充分满足高频工作的需求。适用于各种开关和信号电路,其中电容越低,电路响应速度越快,这样可以在一定程度上减少设计的复杂性和PCB布线的阻抗。
IRFB7440PBF工作温度范围从-55°C到175°C,适合在极端环境下使用,确保其在高温或低温条件下仍能稳定运行。它采用TO-220AB封装,通孔式的安装方式方便与散热系统结合,降低工作时器件的温度,延长器件的使用寿命。
该MOSFET广泛应用于各种电力转换和控制系统中,例如:
总体而言,IRFB7440PBF是一款性能优良的N通道MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,适合各种高功率应用。这款产品为工程师和设计师提供了一个高效、可靠的解决方案,满足现代电子设备对功率密度和运行效率的严格要求。无论是在设计电源转换系统还是电机控制应用中,IRFB7440PBF都能提供出色的性能与稳定性。