IPD068N10N3GATMA1

产品概述：IPD068N10N3GATMA1

1. 产品简介

IPD068N10N3GATMA1是由英飞凌（Infineon）生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计充分满足高功率、高频率应用的需求。该设备具备150W的功率耗散能力和100V的漏源电压（Vdss），适合用于各种需要高效开关电源、直流-直流转换器及功率放大器等应用场合。

2. 关键参数

• 漏源电压（Vdss）：100V，确保在高电压环境下依然稳定工作。
• 连续漏极电流（Id）：90A（在25°C条件下），适用于需要大电流输出的场合。
• 功率耗散（Pd）：最大150W，意味着该设备可以在一定条件下承受较大的功率损耗而无需担心过热。
• 导通电阻（Rds On）：在90A电流和10V驱动电压下，导通电阻仅为6.8毫欧，低损耗特性支持高效能和热管理。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大3.5V @ 90μA，便于与其他电路兼容。
• 栅极电荷（Qg）：68nC @ 10V，显示出其良好的驱动特性，适合快速开关操作。
• 输入电容（Ciss）：4910pF @ 50V，反映出合理的输入特性。

3. 设计特点

IPD068N10N3GATMA1采用TO-252-3（DPAK）封装形式，具有表面贴装型的优势，尽可能减小PCB占用面积，提升生产效率。此封装不仅方便自动化贴片，而且其良好的散热性能也为高功率应用提供了支持。该MOSFET能够在-55°C ~ 175°C的宽温度范围内稳定工作，适合各种苛刻的工业环境。

4. 应用场景

该MOSFET适用于多种应用领域，如：

• 开关电源：由于其低导通电阻和高电流承受能力，IPD068N10N3GATMA1是高效开关电源设计的优选。
• 电动汽车：其高耐压和高电流特性使之成为电动汽车驱动控制中的理想选择。
• 电源管理系统：适合用于高效率的电源转换和功率分配。
• 工业控制领域：在自动化设备和控制系统中，此MOSFET的高温工作能力确保其在长期高负荷下稳定运行。

5. 总结

综上所述，IPD068N10N3GATMA1是一款出色的N沟道MOSFET，其优越的电气性能使其在多种电力电子应用中展现出良好的可靠性和效率。凭借其高功率处理能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，该MOSFET为市场提供了优秀的解决方案，适合任何需要高性能功率开关的设计需求。无论是在消费电子、工业控制还是新能源汽车领域，其特殊的技术参数和性能都将为用户提供显著的技术优势与经济效益。