MMSD4148T1G
MMSD4148T1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vr、F 时电容 | 4pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 标准 | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 10mA |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 75V | 反向恢复时间 (trr) | 4ns |
MMSD4148T1G手册
MMSD4148T1G概述
MMSD4148T1G 产品概述
概述
MMSD4148T1G是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的开关二极管，采用SOD-123封装，专门设计用于高效的电子开关应用。其优异的电气特性和高温操作范围使其适用于多种电路设计，包括信号整流、开关电路以及各种需要小信号处理的应用场景。该二极管有效地支持多种电压和电流条件，成为现代电子产品中的重要组件。
电气特性
正向电压 (Vf): MMSD4148T1G在10mA的正向电流下，正向电压为1V。这一特性确保了二极管在导通状态下低功耗，适合用于对电源损耗要求高的设备。
反向电压 (Vr): 产品的最大反向工作电压为100V，能够处理大部分常规电路中的电压波动。这使得MMSD4148T1G能够在各种工作环境中稳定运行，确保电路的安全性。
平均整流电流 (Io): 截至200mA的平均直流整流电流，使二极管在各种应用中展现出良好的承载能力，适合设备的开关和整流功能。
反向泄漏电流: 在75V的反向电压下，反向泄漏电流为5µA，这符合高标准的低泄漏要求，有助于提高设备能效以及整体性能。
反向恢复时间 (trr): 该产品具有仅4ns的反向恢复时间，适合高速开关应用，能够迅速恢复至非导通状态，从而减少不必要的能量损耗和信号干扰。
电容: 在不同的反向电压 (Vr) 和频率 (F) 下，电容值约为4pF @ 0V、1MHz。这样的低电容特性优化了信号的传输效率，特别适用于RF和高频应用。
工作环境
MMSD4148T1G的工作温度范围从-55°C到150°C，确保其在极端环境下的稳定性与可靠性。这使得该二极管能够广泛应用于汽车电子、工业电子以及消费类电子产品等领域。
封装与安装
MMSD4148T1G采用SOD-123封装，尺寸小巧，适合表面贴装技术(SMT)，这使得二极管能够在紧凑的电路板设计中占据更小的空间。该封装形式还可以有效提升生产效率，降低装配成本，同时确保良好的热性能和电气性能。
应用领域
该二极管的设计适应性使其在多个领域具有广泛的应用场合，包括但不限于：
信号整流: 用于将交流信号转换为直流信号的应用中，MMSD4148T1G的低正向电压和快速恢复能力展现出优越性能。
电源管理: 在开关电源、电池管理系统中，MMSD4148T1G提供了有效的电流控制，确保系统稳定。
数据通信: 由于其低电容特性，该二极管能够处理高频信号，适合用于各种通信设备，包括无线通信和数据传输模块。
汽车电子: 在先进的汽车电子系统中，该产品也能够有效地执行开关任务，提升系统的整体可靠性。
总结
MMSD4148T1G的设计与性能使其成为多种电子应用中不可或缺的组件。其优越的电气特性、广泛的操作温度范围和小巧的封装形式相结合，使其在现代电子设计中展现出显著优势。无论是在消费电子、通信还是工业控制领域，MMSD4148T1G都以其卓越的性能赢得了设计工程师们的青睐。