AOTS21115C
AOTS21115C参数
| 功率(Pd) | 1.6W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 80pF@10V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@6.6A,4.5V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 17nC@4.5V |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 930pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 6.6A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 150mV@250uA |
AOTS21115C手册
AOTS21115C概述
AOTS21115C 产品概述
一、产品基本信息
AOTS21115C 是一款高性能的 P 型场效应管（MOSFET），适用于各种高效能电源管理和信号切换应用。该器件在封装上采用了 TSSOP-6 封装形式，具有典型的低直流电阻和品质优秀的开关特性，适合用于需要低功耗和高效率的电路设计中。其额定功率为 2.5W，最大耐压为 20V，最大电流可达 6.6A。作为 AOS 品牌的一员，AOTS21115C 在市场上以其出色的性能和稳定的品质赢得了良好的声誉。
二、主要特性
低导通电阻：AOTS21115C 的低 R_ds(on) 值使其在工作时的能量损耗降至最低，能够有效提升电源的工作效率。这一特性在开关电源和 DC-DC 转换器中显得尤为重要，有助于延长设备的使用寿命。
高电流能力：这款 MOSFET 最高支持 6.6A 的连续工作电流，使其非常适合于大电流应用，如电机驱动、负载开关等场景。
宽工作温度范围：产品可在较宽的温度范围内工作，确保其在变化环境中保持稳定的性能，非常适合工业自动化、消费电子以及汽车电子等领域。
简易驱动：MOSFET 的门极驱动电平相对较低，方便与微控制器或其他逻辑电平电路集成，提升整个系统的设计灵活性。
节省空间的封装：TSSOP-6 小型封装可以有效节省 PCB 空间，特别适合空间有限的应用场合，如便携式设备和嵌入式系统。
三、应用领域
AOTS21115C 的高效性能和多功能特点使其在多种应用中表现出色：
电源管理：适用于开关电源、线性稳压器和 DC-DC 转换器等电源转换和管理电路，能够实现更高的电源效率。
电机驱动：在直流电机和步进电机的驱动应用中，该 MOSFET 能提供快速、可靠的开关控制，提升电动机的性能。
负载开关：广泛用于负载控制电路，如电池供电设备的开关管理，能够有效控制设备的通断。
消费电子：例如 LED 驱动、音频放大器等，助力提供更加高效和稳定的性能。
四、技术规格
- 型号: AOTS21115C
- 类型: P 型 MOSFET
- 最大功耗: 2.5W
- 最大漏源电压 (V_ds): 20V
- 最大漏电流 (I_d): 6.6A
- 封装类型: TSSOP-6
- 材料: 硅（Silicon）
五、竞争优势
AOTS21115C 在市场上有着显著的竞争优势。首先，其性能参数优越，特别是其低导通电阻和高电流能力，使其在多种高要求的场合中表现出色。此外，AOS 品牌的信誉为产品质量提供了强有力的保障，企业和设计者在选择该元器件时可以放心。
由此，AOTS21115C 适合广泛的电子设计项目，从高端专业应用到日常消费电子设备，均可以有效提升系统的整体性能，减少能耗，提高效率，最终为用户提供更加出色的使用体验。对于追求高效率与高可靠性的电路设计师而言，选择 AOTS21115C 是一个明智的决策。