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BSP171PH6327XTSA1
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-223
包装 :
编带
重量 :
0.194g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.8W 60V 1.9A 1个P沟道 SOT-223-4
库存 :
22435(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
2.31按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.31
--
50+
￥1.77
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
BSP171PH6327XTSA1参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 300 毫欧 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 460µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 460pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
BSP171PH6327XTSA1手册
无数据
BSP171PH6327XTSA1概述
产品概述：BSP171PH6327XTSA1
1. 概述
BSP171PH6327XTSA1 是一款高性能的 P 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），专为提供优异的开关性能和低电阻特性而设计。其漏源电压为 60V，能够承受高电压应用，支持的连续漏极电流高达 1.9A，广泛适用于高效电源管理、负载开关、马达驱动以及其他各种电子电路中。该器件由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产，具备卓越的可靠性和稳定性。
2. 关键参数
FET 类型: 本产品是 P 通道 MOSFET，具有较低的导通电阻和高开关速度，非常适合用于要求快速切换及高效率的电源电路中。
电压和电流规格:
- 漏源电压 (Vdss): 60V，适合用于各种高电压电路。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时可达 1.9A，适用于中等功率应用。
- 导通电阻 (Rds On): 在 10V Vgs 时，导通电阻最大仅为 300 毫欧，出色的低阻特性可大幅减少导通热量，提高电路效率。
电气特性:
- 驱动电压: 本器件的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V，适配多种驱动电路需求。
- Vgs(th): 峰值栅源阈值电压最大为 2V（@ 460µA），使得在较低栅电压下即可实现开关导通，有利于低电压应用。
- 输入电容 (Ciss): @ 25V 时最大值为 460pF，使得本器件在高频率应用中表现良好。
功率和热特性:
- 功率耗散: 最大功耗为 1.8W，适合多种中小功率电路使用。
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C，具备广泛的工作温度适应性，增强了元件在高温或极端环境下的可靠性。
3. 封装与安装
BSP171PH6327XTSA1 采用 PG-SOT223-4 表面贴装封装，适用于自动贴装设备，方便在现代高密度电路板上快速安装，符合智能制造和大规模生产的要求。此外，其封装尺寸紧凑，有助于优化电路设计，节省空间。
4. 应用领域
BSP171PH6327XTSA1 MOSFET 适用的应用广泛，包括但不限于：
- 功率管理: 用于电源开关、DC-DC 转换器、效率优化电路。
- 信号开关: 可作为模拟信号开关用于音频和视频信号处理。
- 负载开关: 各类负载控制，如马达、继电器、LED 驱动等领域。
- 汽车电子: 由于其宽工作温度范围，该 MOSFET 适合于汽车电子应用，提供高温环境下的可靠性能。
5. 结论
BSP171PH6327XTSA1 是一种高效能的 P 通道 MOSFET，凭借其优秀的电气性能，广泛适应各种中小功率电子设备及电源管理解决方案。无论是在高效能电源、负载开关还是汽车电子领域，该器件都能够提供可靠的工作性能与稳定的操作。选择 BSP171PH6327XTSA1，您将为项目带来更高的效率与可靠性。