晶体管类型 | NPN | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 100mA,1A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 频率 - 跃迁 | 60MHz |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA(ICBO) | 功率 - 最大值 | 1.5W |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 85 @ 500mA,1V | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
BCP68T1G 是一款 NPN 型双极型晶体管(BJT),由安森美(ON Semiconductor)制造,采用 SOT-223 封装。这款晶体管在电子产品中广泛应用,具备出色的电气性能和可靠性,适合多种电源管理和信号放大应用。其主要特性包括高达 1.5 瓦的功耗能力和 20 伏的集射极击穿电压,广泛应用于汽车电子、工业设备和通信设备中。
BCP68T1G 可广泛应用于:
综上所述,BCP68T1G 是一款性能优良的 NPN 型晶体管,具有高功耗能力、低饱和压降和广泛的工作温度范围。其出色的电气性能确保了在各种应用场景中能够高效稳定地运行。安森美的工程师们通过对其高增益及良好的频率特性进行了优化,为设计师提供了一个可靠的选择,适合各种现代电子产品的需求。无论是用于高频信号放大还是作为开关元件,BCP68T1G 都是一个值得信赖的电子元器件选择。