功率(Pd) | 1.25W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 72pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@2.5V |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 515pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 6A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 500mV@250uA |
NCE3420是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),它采用SOT-23封装,广泛应用于低电流和低电压的电源管理及开关电路中。它的主要特点包括较高的功率处理能力(1.25W)、低漏电流、高开关速度以及优良的热稳定性,使其在电子设备中表现出色。
SOT-23封装因其小巧的体积而受到广泛青睐,适合于小型化的电路设计。这种封装形式不仅能够有效节省电路板空间,还具备良好的散热性能,有助于提高MOSFET的工作效率。此外,SOT-23的引脚排列也方便了PCB的布局和焊接,提升了生产效率。
NCE3420的设计使其在多个应用场景中具有广泛的适应性,包括但不限于:
在设计电路时,需考虑NCE3420的最大漏极电流和电压,以避免过载。此外,适当的散热设计也是不可或缺的,尤其是在高负载情况下,增加散热片或使用热导材料能够有效延长MOSFET的使用寿命。
总的来说,NCE3420是一款高效、可靠且多功能的N沟道MOSFET,适用于广泛的应用领域。其优异的性能和经济的价格,使其在电子行业中拥有良好的市场前景。无论是设计新产品还是替换现有元器件,NCE3420都将是一个值得考虑的选择,能够满足现代电子产品对功率管理、高性能转换的严苛要求。