安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 20 毫欧 @ 9A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.6A | FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1931pF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16.5nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 30V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 1.2W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
DMP3036SSD-13 产品概述
产品简介
DMP3036SSD-13 是一款高性能的双 P 沟道场效应管 (MOSFET),被广泛应用于各种电子设备中,这款器件来自国际知名品牌 DIODES(美台),采用表面贴装型设计,封装为 SO-8,具有良好的散热性能和较小的占用空间,非常适合现代紧凑型电子产品设计。
主要参数
应用领域
DMP3036SSD-13 的设计使其在多个市场领域具有广泛的应用潜力:
工作温度与可靠性
DMP3036SSD-13 可在 -55°C 至 150°C 的宽工作温度范围内运行,适合各种恶劣环境下的应用,突显出该器件的可靠性和耐久性。这一特性使其在工业自动化、电信和汽车电子等要求苛刻的领域尤其受欢迎。
总结
整体而言,DMP3036SSD-13 是一款设计精良、性能优越的双 P 沟道 MOSFET,适合多种高效能应用。凭借其低导通电阻、较高的电流承载能力以及宽广的工作温度范围,该器件为电子设计工程师提供了极大的设计灵活性。DIODES 这一品牌在市场上的良好声誉和质量保证,为使用该器件的产品可靠性提供了保障。无论是在开关电源、电源管理还是电动驱动系统 中,DMP3036SSD-13 都能够满足现代电气与电子需求的挑战。