FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.8 毫欧 @ 66A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 130nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4360pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 140W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-PAK(TO-252AA) |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
IRFR7540TRPBF是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),它专为高功率应用而设计,能够承受高达60伏特的漏源电压(Vds),同时提供连续的90安培漏极电流(Id)。这款MOSFET的最大功率耗散能力为140瓦特,使其能够在高动态负载条件下稳定工作。该元器件采用D-PAK(TO-252AA)封装,适合表面贴装(SMD)技术,有助于减小电路板尺寸并提高装配效率。
电气特性:
温度特性:
封装特性:
IRFR7540TRPBF的高电流与高电压适配使其广泛应用于各种电力电子设备,如:
IRFR7540TRPBF是一款领先的N通道MOSFET,凭借其卓越的电气特性和工业级温度范围,成为高温、高功率应用中理想的选择。其可靠性和稳定性使其能够在各类苛刻环境下运行,满足现代电子设计对于高性能和高效能的双重需求。无论是在开关电源、电机驱动还是电池管理系统中,IRFR7540TRPBF都将是一个值得信赖的解决方案。