IRFR7540TRPBF 产品实物图片
IRFR7540TRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFR7540TRPBF

商品编码: BM69414905
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252AA(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 140W 60V 90A 1个N沟道 DPAK
库存 :
6154(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
3.31
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.31
--
100+
¥2.54
--
1000+
¥2.21
--
2000+
¥2.09
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFR7540TRPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.8 毫欧 @ 66A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 100µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)130nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4360pF @ 25V
功率耗散(最大值)140W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装D-PAK(TO-252AA)
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

IRFR7540TRPBF手册

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IRFR7540TRPBF概述

产品概述:IRFR7540TRPBF N通道 MOSFET

一、基本信息

IRFR7540TRPBF是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),它专为高功率应用而设计,能够承受高达60伏特的漏源电压(Vds),同时提供连续的90安培漏极电流(Id)。这款MOSFET的最大功率耗散能力为140瓦特,使其能够在高动态负载条件下稳定工作。该元器件采用D-PAK(TO-252AA)封装,适合表面贴装(SMD)技术,有助于减小电路板尺寸并提高装配效率。

二、主要参数

电气特性

  • 漏源电压(Vdss):60V,能够满足一般高电压应用中的安全工作需求。
  • 连续漏极电流(Id):90A(在特定条件下可实现),能够驱动高负载设计,如电机控制和开关电源。
  • 最大导通电阻(Rds(on)):在驱动电压为10V时,最大值为4.8毫欧(@ 66A),其低导通电阻能够有效降低功耗并提高工作效率。
  • 阈值电压(Vgs(th)):最大值为3.7V (@ 100µA),确保MOSFET能够在较低的栅极电压下开始导通。
  • 栅极电荷(Qg):最大值为130nC(@ 10V),影响开关速度和驱动电路的设计。

温度特性

  • 工作温度范围:-55°C至175°C(TJ),突出其在极端环境下的可靠性,适合军用、航空和工业设备。

封装特性

  • 封装类型:TO-252AA(DPAK),该封装形式能够提供高效的散热能力和良好的电气性能,方便自动化贴装设备进行组装。

三、应用领域

IRFR7540TRPBF的高电流与高电压适配使其广泛应用于各种电力电子设备,如:

  1. 开关电源:在DC-DC转换器中担任开关元件,实现高效的电源转换。
  2. 电机控制:可应用于电动机驱动电路,满足工业和消费电子产品对电流大且波动频繁的需求。
  3. 汽车电子:在电动汽车及其它汽车电子系统中,经常用作功率开关,控制电池和负载的连接。
  4. 电池管理系统:能够控制充放电过程,提高电池使用效率和安全性。

四、技术优势

  1. 高效率:其低Rds(on)特性降低了在开关过程中产生的能量损耗,提升了系统效率,延长设备使用寿命。
  2. 宽工作范围:适合在苛刻的温度环境下工作,使其可应用于多种行业,尤其是高可靠性要求的场合。
  3. 较强的负载能力:高电流承载能力(90A)适应于各类高功率场景,为设计师提供了丰富的选择空间。

五、结论

IRFR7540TRPBF是一款领先的N通道MOSFET,凭借其卓越的电气特性和工业级温度范围,成为高温、高功率应用中理想的选择。其可靠性和稳定性使其能够在各类苛刻环境下运行,满足现代电子设计对于高性能和高效能的双重需求。无论是在开关电源、电机驱动还是电池管理系统中,IRFR7540TRPBF都将是一个值得信赖的解决方案。