IPW60R180P7XKSA1

产品概述：IPW60R180P7XKSA1

1. 基本信息

IPW60R180P7XKSA1 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为高压和高电流应用设计。其外围参数包括额定漏源电压为 650V，能够支持高达 18A 的连续漏极电流，使其适用于多种电源转换和电动机驱动的场合。该器件采用标准的 TO-247-3 封装，适合通孔安装，能有效降低引脚的电感，适应高频应用。

2. 关键特性

• 漏源电压 (Vdss): 650V，使其能够处理一般工业设备中的高电压直流信号。
• 连续漏极电流 (Id): 18A（在 25°C 的结温下），保证其在高负载情况下的稳定性和效率。
• 门源驱动电压: 最大 10V 的 Rds On，使得在开启状态下的导通电阻可最小化，优化了能量损耗。
• 导通电阻 (Rds On): 最大值为 180 毫欧，在 10V 驱动下的 5.6A 时性能表现良好，降低了开关损失。
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V，适应不同的控制电压环境，保证其在较低电压下也能进行可靠的开关操控。

3. 电气特性

• 栅极电荷 (Qg): 25nC 在 10V 的 Vgs 条件下，特性较低的栅极电荷为驱动电路提供了较小的能量损耗，适合快速开关应用。
• 输入电容 (Ciss): 1081pF 在 400V 下，使得其在高频工作时能够有效降低输入延迟，提高开关速度。
• 功率耗散: 最大 72W（Tc），使其能够处理高功率应用，满足工业与电力转换的需要。

4. 工作环境

该 MOSFET 可在 -55°C 到 +150°C 的宽温度范围内工作，极大地提升了其在恶劣环境下的稳定性。其高温性能非常适合轨道交通、航空航天等行业的应用。

5. 应用场景

IPW60R180P7XKSA1 非常适合用于高频开关电源、逆变器、直流-直流转换器、马达驱动和电机控制等多个工业应用场景。其优良的导通性能和低功耗特性使得它成为电能传输和转换系统中不可或缺的选择。

6. 结论

作为英飞凌推出的一款高效 N 通道 MOSFET，IPW60R180P7XKSA1 凭借其深厚的技术背景与可靠的性能表现，不仅可以满足现代各种电子设备对高性能、低耗能的严格要求，同时也展现出广泛的适用性与可编程性。其独特的电气特性将有助于推动未来更多高效能电子应用的开发，助力相关行业的优化升级。