安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.8 欧姆 @ 500mA,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 410mA | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 32pF @ 25V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.45nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 60V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 580mW |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA |
DMG1026UV-7是由DIODES(美台)公司制造的一款高性能2N沟道场效应管(MOSFET),特别适用于低电压和低功率应用。其设计考虑到了高效能与宽温范围的需求,使其在各种苛刻环境下表现出色。该产品广泛应用于消费类电子、计算机、通讯设备及汽车电气系统等领域。
DMG1026UV-7因其优良的电气性能,适合以下应用场合:
DMG1026UV-7 MOSFET是一款用于广泛电气应用的高性能、可靠性强的器件。其小型化表面贴装封装与优异的电气门特性相结合,为现代电子产品设计带来了更多的灵活性和高效性。凭借其低导通电阻、高频性能及广泛的工作温度范围,DMG1026UV-7在电源管理、LED驱动及汽车电子等领域都有着极其重要的应用价值。选择DMG1026UV-7,即是选择了一款高效、可靠的电子元器件解决方案。