SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3 产品概述

1. 产品简介

SI2336DS-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）生产的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），封装类型为 SOT-23-3（TO-236）。作为一种高性能的功率MOSFET，它广泛应用于电源管理和开关驱动电路，旨在满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。

2. 主要规格

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 25°C 时电流（Id）: 5.2A（在结温 Tc 下）
• 驱动电压: 1.8V（最大 Rds On），4.5V（最小 Rds On）
• 导通电阻（Rds On）: 在 3.8A、4.5V 下，最大值为 42 毫欧
• Vgs(th)（栅源阈值电压）: 1V @ 250µA（最大值）
• 栅极电荷（Qg）: 15nC @ 8V（最大值）
• 最大 Vgs: ±8V
• 输入电容（Ciss）: 560pF @ 15V（最大值）
• 功率耗散: 最大 1.25W（环境温度 Ta），最大 1.8W（结温 Tc）
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C（结温 TJ）
• 安装类型: 表面贴装型（SMD）
• 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

3. 特点与优势

SI2336DS-T1-GE3 的设计强调高效能和优越的热性能，使其成为许多应用的理想选择。其漏源电压（Vdss）为 30V，额定连续漏极电流（Id）可达到 5.2A，使其适用于需要高电流和高电压的电源供应应用。此外，低导通电阻（最大 42 毫欧）和高效的栅极电荷（Qg）值，确保在开关频率高的情况下，功耗得以有效控制，从而提升电路的整体效率。

4. 应用领域

由于其优良的电气性能和温度适应性，SI2336DS-T1-GE3 可以用于多种电子应用，主要包括：

• DC-DC 转换器: 在开关模式电源中作为开关元件，提高电能转换效率。
• 电机驱动: 用于直流电机的驱动电路，保证在高负载条件下的稳定性和可靠性。
• 智能家居设备: 由于其小巧的封装，适合智能家居和便携式设备的功率管理。
• 电源管理系统: 在各种消费电子中进行功率切换和分配。

5. 材料与环境适应性

SI2336DS-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保其在极端环境下依然能够稳定工作，特别适合于工业和汽车电子应用。此外，该器件符合现代环保要求，符合无铅和可焊性的标准，适应当前市场对环保产品的需求。

6. 结语

SI2336DS-T1-GE3 是一款功能强大且灵活的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的性能和广泛的应用场景，使其成为现代电子设计中不可或缺的组成部分。无论是在高压、电流条件下的电源管理，还是需要高效开关解决方案的应用，该元件都能够为设计者提供极大的设计自由度和优越的性能表现。选择 SI2336DS-T1-GE3，意味着选择了可靠性、效率与设计灵活性的结合，推动产品的创新与进步。