STW20N95K5
STW20N95K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 950V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 330 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW20N95K5手册
STW20N95K5概述
STW20N95K5 产品概述
一、产品简介
STW20N95K5 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET（场效应晶体管），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该器件采用 TO-247-3 封装，具备高漏源电压、较大的连续漏极电流和出色的导通电阻，非常适合于工业、汽车和电力转换等多种应用场景。
二、关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 950V
- 连续漏极电流 (Id): 17.5A（额定值为Tc = 25°C）
- 最大启用导通电阻 (Rds(on)): 330mΩ @ 9A, 10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 5V @ 100µA
- 驱动电压: 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大值 1500pF @ 100V
- 栅极电荷 (Qg): 最大值 40nC @ 10V
- 功率耗散 (Pd): 最大值 250W（TC = 25°C）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: TO-247-3
三、特点与优势
高压承受能力: STW20N95K5 的最高漏源电压可达 950V，使其能够在高压工业和电力转换应用中稳定运行。
优越的导通特性: 在 10V 的栅极驱动电压下，其导通电阻低至 330 毫欧，意味着在传输过程中损耗极小，从而提高能量转换效率。
出色的热管理性能: 特别设计的封装结构使得其具有良好的散热性能（功耗最大可达 250W），在高温环境下依然能够保持可靠的工作性能。
广泛的工作温度范围: STW20N95K5 能够在宽广的温度范围内工作，从 -55°C 到 150°C，适应各种恶劣环境的应用需求。
简易的驱动要求: 器件要求的驱动电压为 10V，简化了外围电路设计，使系统更易于实现。
四、应用场景
STW20N95K5 的设计使其非常适合于以下应用领域：
开关电源: MOSFET 可用于高效的开关电源设计，电源转换效率显著提升。
逆变器: 能够在可再生能源系统（如太阳能、风能）中用作逆变器的核心元件，确保高电流、高电压条件下的性能稳定。
电动车辆: 在电动汽车的电源管理系统中使用，通过高压和大电流的特性，保证电动驱动系统的高效运作。
工业控制系统: STW20N95K5 能够在高负载和高频率操作下有效地控制电机与其他工业设备。
照明系统: 适用于高功率 LED 照明和驱动电路，确保稳定的电流和光输出。
五、总结
STW20N95K5 是一款为现代高压应用设计的 N 沟道 MOSFET，凭借其优越的电性能、高能效及广泛的工作温度范围，不仅能满足各类工业与汽车标准，更为各类开发者和设计师提供了可靠的选型保障。其卓越的热性能和工艺规格确保了在各类严苛条件下，设备的持续稳定运行，是需求高压、高效、低损耗解决方案用户的理想选择。