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BSN20BKR
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
TO-236AB
包装 :
编带
重量 :
0.024g
描述 :
场效应管(MOSFET) 310mW 60V 265mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
0.262按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.262
--
200+
￥0.168
--
1500+
￥0.147
--
3000+
￥0.13
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
BSN20BKR参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 265mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .49nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 20.2pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSN20BKR手册
无数据
BSN20BKR概述
BSN20BKR 产品概述
1. 产品简介
BSN20BKR为Nexperia（安世）公司出品的一款N通道MOSFET（场效应晶体管），其额定最高漏源电压为60V，连续漏极电流可达265mA。这款器件采用TO-236AB（SOT-23）封装，具有良好的散热特性与高效能，适用于多种电子应用，特别是在要求较高的开关频率和较小尺寸的场合。其最大功率耗散为310mW，并具备宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，保证了其在恶劣环境下的可靠性和稳定性。
2. 主要参数
- FET类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应管）
- 漏源电压 (Vdss): 60V
- 连续漏极电流 (Id): 265mA（在25°C环境温度下）
- 驱动电压 (Rds On): 最大Rds On值为2.8Ω @ 200mA，Vgs为10V
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为1.4V，在250µA下测量
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为0.49nC，在Vgs为4.5V时测量
- 最大Vgs值: ±20V
- 输入电容 (Ciss): 最大值为20.2pF，针对Vds为30V的情况
- 功率耗散: 310mW
- 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
3. 封装与安装
BSN20BKR采用TO-236AB（SOT-23）封装，适合表面贴装（SMD）应用。这种封装类型的优势在于体积小、重量轻，有助于减少电路板的占用空间，适合于便携式电子设备和高密度电路设计。
4. 应用场景
BSN20BKR可应用于多种电子电路中，例如：
- 开关电源：由于其卓越的开关特性，适用于DC-DC转换器和其它开关电源设计。
- 信号开关：可用作信号开关，控制小信号电流的路由。
- 放大器：在低功率放大器电路中，可实现增益控制和信号调节。
- 自动化设备：可嵌入在家用电器和工业自动化设备中，用于控制电机和继电器。
- 便携式设备：由于其小巧的尺寸和轻量化特性，非常适合用于智能手机、平板电脑、无人机等便携式设备。
5. 性能优势
BSN20BKR相较于其他MOSFET器件，具备以下几个显著优势：
- 高效率: 在开关操作中表现出较低的导通电阻，使其能够有效降低功耗，从而提升系统综合效率。
- 宽工作温度范围: 既可在低温下稳定工作，也能够适应较高的热环境，适用于多种极端条件下的应用。
- 小型化设计: 通过采用TO-236AB小封装，降低产品体积，有助于设计紧凑型电路。
- 易于驱动: 栅极电压要求低，简化了电路设计的复杂性，降低驱动成本。
6. 结论
BSN20BKR作为一款高性能N通道MOSFET，凭借其卓越的电气特性、广泛的应用范围以及高可靠性，已经成为众多电子设计中的不二选择。不论是用于开关电源、信号开关，还是在多种便携式设备中，该器件都能提供稳定的表现，满足现代电子设计对性能和品质的高要求。整体而言，BSN20BKR是追求高效能与高可靠性的设计工程师理想的解决方案。