额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 20V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 20mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 820 @ 10mA,3V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 350MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SMT3 |
2SD2114KT146V 是一款高性能、低功耗的NPN类型双极结晶体管(BJT),由知名电子元件制造商ROHM(罗姆)提供。该晶体管专为高效能电子产品设计,广泛应用于模拟和数字电路,包括开关电源、信号放大器和其他低功耗电路。其表面贴装型封装适合现代电子设备的紧凑设计,客户可以在设计中轻松集成。
2SD2114KT146V 适合用于各种应用场景,主要包括:
在使用2SD2114KT146V晶体管时,建议注意以下事项以确保最佳性能:
总的来说,2SD2114KT146V是一个功能强大且高效能的NPN晶体管,结合了紧凑设计、优异的电气特性和广泛的应用范围,特别适合在现代电子设备中应用。无论是在消费电子、通信、工业自动化还是汽车电子等领域,均能够为工程师和设计者提供可靠的性能支持。ROHM作为品牌保障,用其经验和技术支撑,确保每一颗器件的高标准与高质量,帮助客户实现更高效的设计理念。