FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 500 毫欧 @ 1.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 270pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta),3.1W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
IRFL9014TRPBF是一款高性能的P沟道MOSFET(场效应管),由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产。凭借其出色的电气特性和广泛的应用潜力,IRFL9014TRPBF在电源管理、开关应用及其他电子电路中具有重要地位。其主要特点包括最大漏源电压(Vdss)为60V,持续漏极电流(Id)达到1.8A,适用于多种高效能需求的设计。
IRFL9014TRPBF拥有一系列关键参数,其详细信息如下:
IRFL9014TRPBF采用SOT-223表面贴装封装,适合现代小型化电子产品设计。该封装提供了良好的热性能,可以有效降低结温,支持更高的功率处理能力。
IRFL9014TRPBF可广泛应用于多个行业,主要包括:
IRFL9014TRPBF的工作温度范围和最大功率耗散确保了该元件在严苛环境中仍能稳定运行。此外,其高达±20V的栅极电压承受能力使其在电气过载情况下能够提供额外的安全保护。
IRFL9014TRPBF是一款可靠、高效的P沟道MOSFET,非常适合广泛的电子电路应用。凭借VISHAY的品质保证和严苛的测试标准,IRFL9014TRPBF无疑是现代电源模块、开关电路等设计的理想选择。无论是对于设计工程师还是系统集成商,选择IRFL9014TRPBF都能有效提升产品的性能和市场竞争力。