UMX4NTR 产品实物图片
UMX4NTR 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

UMX4NTR

商品编码: BM69414752
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 20V 50mA NPN UMT-6
库存 :
2634(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.478
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.478
--
200+
¥0.308
--
1500+
¥0.268
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

UMX4NTR参数

晶体管类型2 NPN(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)20V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 4mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)56 @ 10mA,10V
功率 - 最大值150mW频率 - 跃迁1.5GHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装UMT6

UMX4NTR手册

empty-page
无数据

UMX4NTR概述

UMX4NTR 产品概述

UMX4NTR是一款高效率的NPN型双晶体管(BJT),由知名电子元器件制造商ROHM(罗姆)生产。其设计目标是满足当今电子设备对高性能、小尺寸组件的需求,广泛应用于通信、消费电子、工业控制等领域。以下是UMX4NTR的详细规格及特点。

1. 主要规格

  • 晶体管类型: UMX4NTR是一款双NPN型晶体管,由两个NPN晶体管组成,方便集成以及在各种电路中进行多级放大。
  • 最大集电极电流(Ic): 50mA,适用于低功率应用场景。
  • 集射极击穿电压(Vce): 20V,确保在较高电压条件下的可靠工作。
  • Vce饱和压降: 在4mA到20mA电流范围内,最大饱和压降为500mV,适合低功率、低噪声电路设计。
  • 集电极截止电流(ICBO): 最大值为500nA,表明在非导通状态下,其漏电流极小,能有效降低功耗。
  • 直流电流增益(hFE): 在10mA和10V的条件下,hFE值不少于56,为放大应用提供了足够的增益。
  • 功率最大值: 可承受150mW的最大功率,适用于中小功率的应用环境。
  • 频率响应: 具有高达1.5GHz的跃迁频率,适应高频电路和信号处理要求。
  • 工作温度: 最大结温达150°C,可在恶劣环境下长期稳定工作。
  • 封装类型: UMX4NTR采用表面贴装型UMT6封装,具备小体积、高集成度的优点,便于在现代电子设备中的应用。

2. 应用场景

UMX4NTR广泛适用于以下领域:

  • 消费电子: 在手机、平板电脑及其他便携设备中,可用于信号放大、开关控制等功能,支持更高的集成度和更小的尺寸需求。
  • 数据通信: 适用于无线和有线通信设备的信号处理和放大,例如Wi-Fi模块、蓝牙设备等。
  • 工业控制: 可在自动化设备和控制系统中,用作信号开关和传输,提供可靠的控制反应。
  • 汽车电子: 随着汽车智能化的发展,UMX4NTR也可以用于汽车传感器和执行器控制,提升汽车整体电子系统的性能。

3. 设计优势

UMX4NTR作为一款NPN晶体管,具有以下设计优势:

  • 高效能: 其低饱和压降与高增益特性使得在设计中能够提供卓越的功率效率,减少功耗,延长电池寿命。
  • 可靠性: 具备较高的工作温度和最低的漏电流,提升了系统的稳定性和可靠性。
  • 小型化: UMT6封装不仅减小了占用面积,还有助于改善散热设计。

4. 结论

UMX4NTR是一款性能优越、应用广泛的NPN型双晶体管,凭借其出色的电气特性、可靠性以及小巧的封装,成为了许多现代电子产品设计中的理想选择。在快速发展的电子科技环境中,其出色性能够为各类应用提供有力支持。ROHM凭借多年的技术积累和市场经验,确保了该产品的高质量和高性能,适合对性能和集成度有高度要求的电子设计。