STD20NF20
STD20NF20参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 18A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 125mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 110W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 39nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 940pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD20NF20手册
STD20NF20概述
STD20NF20 产品概述
基本介绍
STD20NF20是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于高压和中高电流应用。该器件由意法半导体（STMicroelectronics）生产，具有卓越的电气特性和可靠性。它的主要参数包括：漏源电压（Vdss）为200V、连续漏极电流（Id）为18A、漏源导通电阻（Rds(on)）为125mΩ，并且最大功率耗散为110W。这些特性使其成为各类电子设备、功率管理和电源转换应用的理想选择。
设计特性
高电压和高电流能力：STD20NF20支持高达200V的漏源电压，非常适合用于高电压环境下的应用，如电源转换器、马达驱动和电源管理模块。其18A的连续漏极电流能力使其在需要较大电流处理时依然表现稳定。
低导通电阻：该器件的漏源导通电阻在10V栅源电压下为125mΩ，极大地减少了导通损耗，使得在高电流工作情况下，热损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。
宽阈值电压范围：STD20NF20的栅源极阈值电压Vgs(th)为4V @ 250µA，确保了在适当的栅源电压下迅速开启器件，适应多种驱动电路设计。
高驱动电压兼容性：在最大Rds(on)下，器件能够在10V的栅源电压下实现充分导通，这限制了对驱动电路的要求，使其能够与多种微控制器和数字信号处理器兼容。
高温性能：该MOSFET的工作温度范围为-55°C到175°C，适应了严酷的工作环境，保证长时间运行的可靠性。
应用领域
STD20NF20广泛应用于多种电子系统及相关工程领域，主要包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）：该器件用于AC-DC或DC-DC转换中，因其低导通电阻和高效率非常适合高频开关电源。
- 电机驱动：在电动机控制和驱动应用中，STD20NF20可以有效地作为开关元件，以控制电机的启动、运行和停止。
- 电池管理系统：在电池供电的设备中，使用该MOSFET可以实现高效的电源开关，减少能量损失，提高电池的使用效能。
- 逆变器：在太阳能逆变器和其他正弦波逆变器设计中，STD20NF20可用于实现高效的电力转换。
- 消费电子产品：如LED驱动、电源适配器及便携式电子设备，保证小型化设计的同时提高能效。
封装与安装
STD20NF20采用TO-252-3 (DPAK)封装，具有两个引脚和一个接片，旨在适应表面贴装的需求。这种封装形式不仅能够支持自动化生产线的高效装配，还具有良好的散热性能，适合多种设计方案。
总结
STD20NF20是一款性能强大的N沟道MOSFET，凭借其高电压和高电流等级、低导通电阻和广泛的应用兼容性，极大地促进了现代电子技术的进步。无论是在工业、消费电子，还是汽车电子领域，STD20NF20的使用能够有效提升产品的性能和效率，通过优良的电气特性满足客户的多样化需求。对设计师来说，它无疑是值得信赖的选择，能够在各种挑战的应用场景中提供可靠的解决方案。