功率(Pd) | 3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 90pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 140mΩ@10V,5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15.5nC@50V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 690pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 6A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
产品概述:NCE0106R MOSFET
一、产品简介
NCE0106R是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),其具有3W的功率承载能力和100V的电压等级,能够提供高达6A的持续电流输出,适用于多种电子电路设计和应用。该产品采用SOT-223封装,具有良好的散热特性和小巧的体积,使其在空间有限的应用中尤为适合。作为新洁能(NCE)品牌的一部分,NCE0106R继承了该公司一贯的高品质和可靠性能。
二、技术规格
三、工作原理
N沟道MOSFET工作原理基于电场效应。它由源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)组成。在栅极施加适当的电压时,MOSFET内部形成一个导通通道,使得源极与漏极间的电流得以流通。与双极型晶体管相比,MOSFET在开关操作时具有更快的开关速度和更高的输入阻抗,使得其在现代电子设备中更为广泛应用。
四、应用领域
五、设计优势
六、总结
NCE0106R是一款功能强大且富有市场竞争力的N沟道MOSFET,适用于广泛的电子设备和系统。凭借高电压、高电流和高功率处理能力,它非常适合现代电源管理和驱动,以及对效率和性能有着严苛要求的应用场景。无论是在消费电子、工业设备,还是在汽车电子中,NCE0106R都能够发挥重要的作用,是工程师和设计师们的理想选择。通过选用NCE0106R,用户可以确保其设计的稳定性和高效性,进而提升产品的市场竞争力。