NCE0106R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE0106R

商品编码: BM69414742
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3W 100V 6A 1个N沟道 SOT-223
库存 :
6953(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.704
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.704
--
100+
¥0.469
--
1250+
¥0.427
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE0106R参数

功率(Pd)3W反向传输电容(Crss@Vds)90pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)140mΩ@10V,5A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)15.5nC@50V
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)690pF@25V连续漏极电流(Id)6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

NCE0106R手册

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NCE0106R概述

产品概述:NCE0106R MOSFET

一、产品简介

NCE0106R是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),其具有3W的功率承载能力和100V的电压等级,能够提供高达6A的持续电流输出,适用于多种电子电路设计和应用。该产品采用SOT-223封装,具有良好的散热特性和小巧的体积,使其在空间有限的应用中尤为适合。作为新洁能(NCE)品牌的一部分,NCE0106R继承了该公司一贯的高品质和可靠性能。

二、技术规格

  • 封装类型:SOT-223
  • 类型:N沟道 MOSFET
  • 最大漏极-源极电压(Vds):100V
  • 最大持续漏极电流(Id):6A
  • 最大功耗(Pd):3W
  • 驱动电压(Vgs):适合5V-10V的逻辑电平驱动
  • 开关速度:具备优异的开关性能,适合高频应用
  • 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

三、工作原理

N沟道MOSFET工作原理基于电场效应。它由源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)组成。在栅极施加适当的电压时,MOSFET内部形成一个导通通道,使得源极与漏极间的电流得以流通。与双极型晶体管相比,MOSFET在开关操作时具有更快的开关速度和更高的输入阻抗,使得其在现代电子设备中更为广泛应用。

四、应用领域

  1. DC-DC转换器:由于其低导通电阻,NCE0106R能够在提升和降压转换中实现高效能。
  2. 开关电源:MOSFET的开关特性使其能够更有效地控制电源输出,减少能量损失。
  3. 电机驱动:适用于电机控制系统,提供高电流的驱动能力。
  4. LED驱动:在LED照明方案中,能够高效地管理电流,提升整体效率。
  5. 电池管理系统:在电池保护电路中,提供快速的开关控制,增强安全性和稳定性。

五、设计优势

  1. 高集成度:SOT-223封装使得该MOSFET能够在小型化设计中容易安置,同时提供良好的热管理。
  2. 高可靠性:NCE品牌以稳定和高质量的器件著称,NCE0106R在工作环境下能够保持优异的性能。
  3. 快速开关能力:高开关频率的特性使得NCE0106R适合各种高频应用,降低了PWM转换中的损耗。
  4. 经济高效:在保证性能的同时,NCE0106R的价格具有市场竞争力,可为系统设计节省成本。

六、总结

NCE0106R是一款功能强大且富有市场竞争力的N沟道MOSFET,适用于广泛的电子设备和系统。凭借高电压、高电流和高功率处理能力,它非常适合现代电源管理和驱动,以及对效率和性能有着严苛要求的应用场景。无论是在消费电子、工业设备,还是在汽车电子中,NCE0106R都能够发挥重要的作用,是工程师和设计师们的理想选择。通过选用NCE0106R,用户可以确保其设计的稳定性和高效性,进而提升产品的市场竞争力。