安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 66 毫欧 @ 5A,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A(Ta),12.5A(Tc) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 415pF @ 50V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 功率耗散(最大值) | 3.1W(Ta),20.8W(Tc) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 250µA |
产品名称: AON7296
产品类型: N通道 MOSFET
封装类型: DFN-3x3-8L
品牌: AOS
AON7296 是一款表面贴装型的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有出色的电气性能和热处理能力,广泛应用于现代电子设备中。该元器件的各种参数使其在多个领域都能够发挥极致的效能。
最大漏极电流 (Id):在环境温度为 25°C 时,AON7296 的连续漏极电流可以达到 5A,而在更高的结温下(Tc)可达 12.5A。这表明该 MOSFET 可适应较高的负载要求,同时确保其工作可靠性。
导通电阻 (Rds(on)):在 5A 和 10V 的工作条件下,该 MOSFET 的最大导通电阻为 66 毫欧。这一低值确保了MOSFET 在导通状态下的能量损耗降到最低,从而提高了整体系统的效率。
栅极电压 (Vgs):该器件可支持的最大栅极电压为 ±20V,适合与多种驱动电路兼容。其在 10V 条件下的栅极电荷 (Qg) 仅为 12nC,允许快速开关,提高了响应速度和功率转换效率。
工作温度范围:AON7296 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,这使其适用于极端环境,保证在高温或低温条件下依然能够稳定工作。
输入电容 (Ciss):在漏源电压为 50V 时,输入电容的最大值为 415pF,意味着该器件在高频应用下依然具备良好的输入特性,适合于开关电源、直流-直流转换器和其他快速切换的应用。
漏源电压 (Vdss):AON7296 的最大漏源电压为 100V,能够满足多种电源管理应用的需求,并保证在高电压情况下的可靠性。
功率耗散:该 MOSFET 在 25°C 时的最大功率耗散为 3.1W,而在 Tc 条件下可支持高达 20.8W 的功率耗散,确保在设计高功率电路时,为工程师提供了更大的设计余量。
阈值电压 (Vgs(th)):不同 Id 下的最大阈值电压为 2.8V @ 250µA,确保能够与低电压控制系统相兼容。
AON7296 由于其高效能和可靠性,适用于以下几个关键应用场景:
电源管理:在各种开关电源中,AON7296 可以作为主开关器件,负责高效电能的转换与控制。
直流-直流转换器:由于其低导通电阻及良好的热性能,AON7296 非常适合用于 DC-DC 转换器中,优化功率损耗,提升系统效率。
电机驱动:在电机控制系统中,AON7296 可用于调整电机的电流和电压,实现平稳的启动与运行。
电池管理系统:在电池管理应用中,AON7296 能够高效管理电池的充放电过程,延长电池的使用寿命,提高整体工作效率。
AON7296 N通道 MOSFET 是一款在多种条件下都表现出色的电子元器件,凭借其高效低损耗、高功率处理能力及出色的热性能,成为电源管理、直流-直流转换器和电机驱动系统等领域的理想解决方案。随着电子技术的不断进步,AON7296 将继续发挥其不可或缺的重要作用,推动各类电子产品的性能提升与应用拓展。