IRLR3410TRPBF
IRLR3410TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 800pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 79W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRLR3410TRPBF手册
IRLR3410TRPBF概述
产品概述：IRLR3410TRPBF N沟道MOSFET
概述
IRLR3410TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高效率的电源管理与开关应用而设计。该器件由英飞凌（Infineon）制造，采用表面贴装型（SMD）封装，型号为TO-252-3（DPAK）。随着电子设备对电源转换效率的不断提高，这款MOSFET因其优异的性能被广泛应用于各种领域，包括电源适配器、电机驱动、开关电源和电池管理系统等。
关键特性
高漏源电压（Vdss）：该MOSFET的漏源电压可高达100V，能够轻松应对高压电源应用，适合在高电压场合下的稳定工作。
高持续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，IRLR3410可以承受高达17A的连续漏极电流，满足球源和负载需求。
低导通电阻（Rds On）：在10V的Vgs驱动电压条件下，MOSFET的最大导通电阻可低至105毫欧。这确保了在开关操作时极低的功率损耗，从而降低了设备的整体热量生成，提高了系统的效率。
宽栅极电压范围（Vgs）：IRLR3410的栅极驱动电压最大可达到±16V，适应多种控制电路的需求，增强了设计的灵活性。
优异的输入电容：在25V下，该MOSFET的输入电容（Ciss）最大为800pF，确保了快速开关响应，使其在高频应用中表现出色。
高功率耗散：IRLR3410的最大功率耗散能力为79W，能够在高功率应用环境中稳定运行，充分保证了安全性。
广泛的工作温度范围：器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适合在极端环境下使用。无论是在严寒或高温条件下，该MOSFET都能提供可靠的性能。
小型封装：采用TO-252-3（DPAK）封装，IRLR3410具有良好的散热能力，适合各种空间受限的应用。
应用领域
IRLR3410TRPBF的优异特性使其在多个高效能应用中成为理想选择：
- 电源转换器：可用于高效DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，提供更高的能效和更少的热损失。
- 电动机驱动器：在电机控制应用中，能够有效驱动直流电动机与步进电机，达到快速响应与高效率的要求。
- 电池管理系统：在电池充电与放电过程中，IRLR3410保证了输出电流和电压的可靠性及安全性。
- 开关电源：能够帮助设计出更小、更轻的开关电源，适应不断减少体积与重量的市场需求。
结论
IRLR3410TRPBF是一款多用途、性能卓越的N沟道MOSFET，专为满足现代电子设备对高效能和可靠性的需求而设计。其低导通电阻、高功率容量和广泛的工作温度范围使其成为理想的选择，适合各类需要高电压和高电流的应用。选择IRLR3410TRPBF，能够显著提高电源系统的整体性能，满足不断进步的技术需求。