直流反向耐压(Vr) | 100V | 平均整流电流(Io) | 10A |
正向压降(Vf) | 840mV @ 10A | 二极管配置 | 1 对共阴极 |
二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 100V |
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 10A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 840mV @ 10A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100µA @ 100V |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | 供应商器件封装 | TO-263(D²Pak) |
MBRB20100CT是一款高性能的肖特基二极管,具有出色的电气特性和广泛的应用适用性。该器件采用共阴极结构,属于表面贴装型(SMD),常见封装形式为TO-263(D²Pak),其设计使得其在散热和电气连接方面具有很好的效果,适合现代电路设计的需求。
MBRB20100CT的特性使其非常适合于多种应用场景,包括但不限于:
作为一款来自DIODES(美台)的高品质肖特基二极管,MBRB20100CT汇聚了众多优势,其优秀的热性能、低正向压降和高反向耐压使其在市场中具备强大的竞争力。随着电子设备向高集成、轻薄、小型化发展,MBRB20100CT能够满足日益增长的技术需求,是广大工程师在设计时的理想选择。
总结而言,MBRB20100CT不仅具备优越的电气性能和广泛的应用领域,同时也以其可靠的工作特性和高性价比,成为电子设备设计中的得力助手。无论是在消费电子产品、工业应用或是电源设备领域,MBRB20100CT都表现出色,是高效能电路设计的首选器件。