额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 70 @ 50mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 功率 - 最大值 | 250mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
引言
PDTD113ZT,215是一款高性能的NPN预偏置数字晶体管,专为低功耗应用而设计。该组件非常适合用于多种电子电路中,特别是在需要高开关频率和低静态功耗的场合。作为安世(Nexperia)品牌的一部分,PDTD113ZT,215继承了高质量和优良的可靠性,成为工程师和设计师在开发电路时的理想选择。
技术规格
PDTD113ZT,215的额定功率为250mW,使其在一般应用中具有良好的表现。集电极电流(Ic)最大值为500mA,适用于各种负载驱动场景。同时,最大的集射极击穿电压(Vce)为50V,确保了器件在较高电压条件下的安全运行,降低了过压损坏的风险。
该晶体管的DC电流增益(hFE)在50mA和5V时的最小值为70,表明其具有良好的放大能力。这使得PDTD113ZT,215可用于放大微弱信号,适用于感应电路和音频放大器等场景。此外,饱和压降(Vce(sat))在2.5mA和50mA时的最大值为300mV,这意味着在工作时它能够有效地降低功耗。
集电极截止电流(IcBO)最大值为500nA,极低的截止电流特性使得该晶体管在待机模式下几乎不消耗电流,从而提高电源效率。
电路设计与应用
为了实现最佳性能,PDTD113ZT,215通常配合合适的基极电阻(R1=1 kΩ)和发射极电阻(R2=10 kΩ)使用。这些外围元件的合理配置可以确保晶体管在不同工作状态下都能够稳定工作,并提升整个电路的可靠性。
该数字晶体管被广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
封装与安装类型
PDTD113ZT,215采用表面贴装型TO-236AB封装,体积小巧,适合现代紧凑型电子设备的设计需求。这种封装方式不仅能够节省空间,还能提高电路的整体可靠性和热性能。其符合SOT-23-3和SC-59的设计标准,方便与现有PCB布局的集成。
总结
总体来看,PDTD113ZT,215是一款性能卓越的小型NPN数字晶体管,具备广泛的应用潜力和高效的工作特性。无论是在消费类电子、工业设备,还是在汽车电子中,该晶体管都能为设计师提供值得信赖的解决方案。凭借着安世品牌的支持和可靠的质量保证,PDTD113ZT,215无疑是现代电子设计中不可或缺的选择。