2SB1132FD5T100R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SB1132FD5T100R

商品编码: BM69414467
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
SOT-89
包装 : 
编带
重量 : 
0.132g
描述 : 
三极管(BJT) 2W 32V 1A PNP SOT-89-3
库存 :
50(起订量1,增量1)
批次 :
20+
数量 :
X
0.814
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.814
--
50+
¥0.407
--
1000+
¥0.339
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SB1132FD5T100R参数

功率(Pd)2W商品分类三极管(BJT)
工作温度-55℃~+150℃晶体管类型PNP
特征频率(fT)150MHz直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@0.1A,3V
集射极击穿电压(Vceo)32V集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@500mA,50mA
集电极截止电流(Icbo)500nA集电极电流(Ic)1A

2SB1132FD5T100R手册

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无数据

2SB1132FD5T100R概述

产品概述:2SB1132FD5T100R

一、基本信息

2SB1132FD5T100R是一款由日本ROHM(罗姆)公司制造的PNP型双极性晶体管(BJT),专为低功耗和高效率应用而设计。该三极管具有较高的集电极-发射极耐压(V_CE(max) = 32V)及较大的集电极电流能力(I_C(max) = 1A),使其在各种电子电路中具有广泛的应用潜力。其SOT-89封装具有体积小、热性能优良和布局灵活等优点,成为现代电子设备中必不可少的元器件之一。

二、主要参数

  1. 类型:PNP
  2. 最大集电极-发射极电压(V_CE(max)):32V
  3. 最大集电极电流(I_C(max)):1A
  4. 封装类型:SOT-89
  5. 功率耗散(P_D):2W
  6. 增益带宽积(f_T):典型值为150MHz
  7. 直流电流增益(h_FE):在I_C = 150mA时,h_FE的范围通常在50到300之间。

三、性能优势

  1. 低功耗设计:由于具有较低的导通电阻,2SB1132FD5T100R在工作时消耗的功率非常小,提高了电路的整体效率。
  2. 高集电极电流能力:其1A的集电极电流能力允许其应用于功率驱动和开关应用,如电机驱动和LED驱动等。
  3. 宽工作温度范围:适用于-40°C到+85°C的温度范围,使其适合在各种环境条件下工作。
  4. 小型化封装:SOT-89封装的设计使其非常适合现代电子设备,能够有效节省PCB空间。

四、应用场景

2SB1132FD5T100R广泛应用于各种电子设备中,尤其适合以下场景:

  1. 开关电路:在数码产品中,常用于开关控制与信号放大,如手机、平板电脑中电源管理和音频放大电路。
  2. 功率放大器:作为音频功率放大器的一部分,在音响系统中提高输出功率的同时保持声质。
  3. 电机驱动:在机器人、家电和工业自动化设备中,用于小型直流电机的驱动。
  4. LED驱动电路:适合用于各种LED背光和显示应用中,可实现高效的亮度控制。
  5. 负载开关:如继电器控制、电源开关等,用于直接控制负载开关。

五、设计注意事项

在使用2SB1132FD5T100R时,需要注意以下几点:

  1. 稳定性:在实际电路设计时,确保有良好的去耦电容可以提高其稳定性,并减少电源噪声的影响。
  2. 热管理:由于其功耗在某些应用场景下可能较高,设计时应考虑散热设计,以防止过热导致器件损坏。
  3. 偏置设置:确保合理的偏置电路,以保证晶体管工作在线性区域或开关状态,避免过载工作。
  4. 抗干扰能力:在高频应用中,适当添加补偿网络和滤波器,以提升抗干扰性能。

六、总结

2SB1132FD5T100R是一款功能强大、高效能的PNP三极管,适用于多种电子电路和系统。凭借其优良的性能和灵活的封装形式,ROHM的这款元器件在现代电子设计中具备了极高的实用价值。无论是在小型化便携设备,还是更复杂的自动化控制领域,2SB1132FD5T100R都为设计工程师提供了理想的解决方案。