IRFR110TRPBF
IRFR110TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 540 毫欧 @ 2.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 180pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR110TRPBF手册
IRFR110TRPBF概述
IRFR110TRPBF 产品概述
1. 产品简介
IRFR110TRPBF 是一款先进的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有优秀的电气特性和广泛的应用潜力。该器件由威世（VISHAY）公司制造，封装为 D-Pak 型，具备良好的散热性能和可靠性，非常适合用于低功耗和高频开关应用。
2. 主要参数
在环境条件为 25°C 温度时，IRFR110TRPBF 的漏源电压（Vdss）可达到 100V，连续漏极电流（Id）为 4.3A，确保其在高压和大电流条件下能够稳定工作。该器件的 Vgs（最大值）为 ±20V，允许宽广的驱动范围，能够有效地适应不同的电压控制需求。
3. 导通电阻与功率特性
IRFR110TRPBF 在不同的 Id 和 Vgs 组合下，导通电阻（Rds On）最大为 540 毫欧（@ 2.6A，10V），这使得该器件在导通状态下能够以低损耗地传导电流，从而提高整体系统的能效。此外，IRFR110TRPBF 的最大功率耗散为 2.5W（在环境温度下）和 25W（在管壳温度下），这使得在适当的散热条件下，该器件可以应用于高功率密度的电路设计。
4. 栅极特性与开关特性
该 MOSFET 的栅极在驱动电压为 10V 时，栅极电荷（Qg）最大为 8.3nC，提供了优良的开关性能。这意味着它能够以较快的速度充电与放电，适合高频开关应用，特别是在 DC-DC 转换器、开关电源以及其他需要快速开关的电路中。
5. 热管理与环境适应性
IRFR110TRPBF 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C（TJ），使其能够在极端环境下可靠运行。该器件在热管理方面表现出色，能够有效散发热量，维护其长时间的稳定性。
6. 封装与安装
该产品采用 D-Pak 封装（TO-252-3），包含 2 个引线及接片，便于在电路板上进行表面贴装。D-Pak 封装设计不仅小巧，还具有良好的散热能力，这使得 IRFR110TRPBF 成为多个电子设备中理想的选择。
7. 应用场景
IRFR110TRPBF 在诸多领域内具有广泛的应用潜力，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 光伏逆变器
- 电池管理系统
- 工业自动化设备
8. 结论
作为一款高效能的 N 通道 MOSFET，IRFR110TRPBF 在电气特性、功率处理能力和环境适应性方面均表现优异，适合用于多种高性能电子应用。通过其低 Rds On、高电流处理能力和优良的开关特性，设计工程师可以利用该器件在复杂的电路设计中解决许多挑战，并提供更高效、可靠的解决方案。无论是在消费电子、工业还是新能源领域，IRFR110TRPBF 都能够满足多样化的需求，推动技术的进步。